[發明專利]用于制造半導體設備的方法和半導體設備

在審

• 申請號: 202010939150.4
• 申請日: 2020-09-09
• 公開（公告）號: CN112563212A
• 公開（公告）日: 2021-03-26
• 發明（設計）人: M·舒爾茨;S·克洛肯卡佩爾;A·K·T·科納坎奇
• 申請（專利權）人: 英飛凌科技股份有限公司
• 主分類號: H01L23/10
• 分類號: H01L23/10;H01L23/14;H01L23/373;H01L23/473
• 代理公司: 永新專利商標代理有限公司 72002
• 代理人: 郭毅

1.一種用于制造半導體設備的方法(800)，所述方法包括：

提供(801)載體，所述載體構造用于在第一側上承載至少一個半導體芯片，

將聚合物分配(802)到與所述第一側相對置的第二側上，以產生密封環，

其中，如此分配所述聚合物，使得所產生的密封環沿著其周長具有垂直于所述第二側的不同高度。

2.根據權利要求1所述的方法(800)，其中，借助分配噴嘴執行所述分配(802)，其中，通過以下方式來產生不同的高度：改變所述分配噴嘴與所述第二側的距離和/或改變所述聚合物的輸出速率。

3.根據權利要求1或2所述的方法(800)，其中，如此分配所述聚合物，使得所述密封環具有基本上矩形的周長，

其中，與沿著短側相比，所述密封環沿著所述基本上矩形的周長的長側至少部分地具有更大的高度。

4.根據以上權利要求中任一項所述的方法(800)，其中，產生所述密封環還包括借助加熱或輻射來固化所述聚合物。

5.根據以上權利要求中任一項所述的方法(800)，其中，回曲形地分配所述聚合物。

6.根據以上權利要求中任一項所述的方法(800)，其中，在所述第二側的平整的無凹部的部分上產生所述密封環。

7.根據權利要求1至6中任一項所述的方法(800)，其中，所述載體具有用于容納所述密封環的凹部，其中，所述凹部沿著所述密封環的周長具有變化的深度。

8.一種半導體設備(100，400，500)，所述半導體設備包括：

載體(110，900)，所述載體構造用于在第一側(111)上承載至少一個半導體芯片，

第一密封環(120)，所述第一密封環由聚合物構成并且位于與所述第一側(111)相對置的第二側(112)上，

其中，所述第一密封環(120)沿著其周長具有垂直于所述第二側(112)的不同高度。

9.根據權利要求8所述的半導體設備(100，400，500)，其中，所述載體(110，900)包括引線框架的一部分或者包括具有所施加的布線結構的陶瓷襯底。

10.根據權利要求8或9所述的半導體設備(100，400，500)，所述半導體設備還包括：

冷卻肋(510)，所述冷卻肋在所述第二側(112)上布置在所述第一密封環(120)的周長內。

11.根據權利要求8至10中任一項所述的半導體設備(100，400，500)，其中，所述第一密封環(120)具有基本上矩形的周長，

其中，與沿著短側(122)相比，所述第一密封環(120)沿著所述基本上矩形的周長的長側(121)至少部分地具有更大的高度。

12.根據權利要求8至11中任一項所述的半導體設備(100，400，500)，其中，所述載體(110，900)至少在所述第二側上具有隆起部。

13.根據權利要求8至12中任一項所述的半導體設備(100，400，500)，所述半導體設備還包括：

第二密封環(410)，所述第二密封環圍繞所述第一密封環(120)地布置。

14.根據權利要求8至13中任一項所述的半導體設備(100，400，500)，其中，所述載體(900)具有用于容納所述密封環(120)的凹部(910)，其中，所述凹部(910)沿著所述密封環(120)的周長具有變化的深度。