[發(fā)明專利]一種高強(qiáng)度超低介電性的發(fā)泡導(dǎo)熱硅膠墊片及其制備方法

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 202010938611.6
• 申請(qǐng)日: 2020-09-09
• 公開（公告）號(hào): CN112143232B
• 公開（公告）日: 2022-05-20
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 羊尚強(qiáng);曹勇;謝佑南;陳印;文淵平
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 深圳市鴻富誠(chéng)新材料股份有限公司
• 主分類號(hào): C08L83/07
• 分類號(hào): C08L83/07;C08L83/04;C08L83/05;C08K7/00;C08K7/14;C08K9/10;C08K3/38;C08J9/04
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1.一種高強(qiáng)度超低介電性的發(fā)泡導(dǎo)熱硅膠墊片，其特征在于，所述發(fā)泡導(dǎo)熱硅膠墊片使用的導(dǎo)熱界面材料的組成主要包括：液體基膠、導(dǎo)熱填料、發(fā)泡劑、交聯(lián)劑、催化劑、延遲劑和硅烷偶聯(lián)劑，按照質(zhì)量份數(shù)計(jì)包括：80-150份液體基膠、700-950份導(dǎo)熱填料、5-12份發(fā)泡劑、0.5-2份延遲劑、5-20份交聯(lián)劑、3-5份催化劑，所述發(fā)泡導(dǎo)熱硅膠墊片包括位于中間部位且材質(zhì)選自于玻璃纖維布或碳纖維布的結(jié)構(gòu)抗拉層，所述導(dǎo)熱界面材料在所述結(jié)構(gòu)抗拉層的上下表面分別形成第一發(fā)泡硅膠層與第二發(fā)泡硅膠層，所述發(fā)泡導(dǎo)熱硅膠墊片的拉伸強(qiáng)度≥3.0Mpa，并利用所述發(fā)泡劑在經(jīng)過壓延前加熱攪拌與壓延后烘烤固化的多段發(fā)泡控制所述發(fā)泡導(dǎo)熱硅膠墊片的導(dǎo)熱系數(shù)在3.0 W/m.k以上、介電常數(shù)在3.0@1MHz以下;以所述結(jié)構(gòu)抗拉層做為壓延載體，所述發(fā)泡導(dǎo)熱硅膠墊片適用于連續(xù)式成卷壓延制造設(shè)備的生產(chǎn)工藝;所述多段發(fā)泡包括壓延前加熱的預(yù)發(fā)泡與壓延后加熱的繼續(xù)發(fā)泡;

所述導(dǎo)熱填料為氮化硼粉末，粒徑選擇是1-3微米、40微米、70微米、120微米的搭配組合；所述氮化硼粉末為經(jīng)過偶聯(lián)劑表面包覆處理；所述氮化硼粉末在使用前經(jīng)過烘烤去除水分。

2.如權(quán)利要求1所述的發(fā)泡導(dǎo)熱硅膠墊片，其特征在于，所述液體基膠包括經(jīng)過精細(xì)抽濾處理的不同粘度的乙烯基硅油、乙烯基硅樹脂、乙烯基苯基硅樹脂中任意一種或者上述幾種復(fù)配而成。

3.如權(quán)利要求2所述的發(fā)泡導(dǎo)熱硅膠墊片，其特征在于，所述液體基膠中包含的乙烯基硅油為經(jīng)過精細(xì)抽濾處理的，具有小分子揮發(fā)份D3-D20≤150ppm。

4.如權(quán)利要求1所述的發(fā)泡導(dǎo)熱硅膠墊片，其特征在于，所述偶聯(lián)劑包括長(zhǎng)鏈烷基硅氧烷、鈦酸酯偶聯(lián)劑、鋁酸酯偶聯(lián)劑、乙烯基硅烷偶聯(lián)劑、環(huán)氧基硅烷偶聯(lián)劑中的一種或者上述幾種的任意組合。

5.如權(quán)利要求4所述的發(fā)泡導(dǎo)熱硅膠墊片，其特征在于，所述偶聯(lián)劑為十六烷基三甲氧基硅氧烷。

6.如權(quán)利要求1所述的發(fā)泡導(dǎo)熱硅膠墊片，其特征在于，所述發(fā)泡劑包括偶氮化合物、磺酰肼類化合物、亞硝基化合物、碳酸鹽、水玻璃、炭黑中的一種或者上述幾種的任意組合。

7.如權(quán)利要求6所述的發(fā)泡導(dǎo)熱硅膠墊片，其特征在于，所述發(fā)泡導(dǎo)熱硅膠墊片采用的發(fā)泡劑具體包括偶氮二異丁腈。

8.如權(quán)利要求1所述的發(fā)泡導(dǎo)熱硅膠墊片，其特征在于，所述發(fā)泡導(dǎo)熱硅膠墊片夾有的結(jié)構(gòu)抗拉層為厚度小于等于0.02mm的玻璃纖維布，所述玻璃纖維布本身的介電常數(shù)＜3.2@1MHz，使在所述發(fā)泡導(dǎo)熱硅膠墊片內(nèi)部夾有的結(jié)構(gòu)抗拉層起到支撐增韌的作用。

9.如權(quán)利要求1-8中任一項(xiàng)所述的發(fā)泡導(dǎo)熱硅膠墊片，其特征在于，所述發(fā)泡導(dǎo)熱硅膠墊片的密度≤2.0 g/cc；所述第一發(fā)泡硅膠層或/與所述第二發(fā)泡硅膠層的拉伸強(qiáng)度＜0.2Mpa。

10.一種發(fā)泡導(dǎo)熱硅膠墊片的制備方法，所述發(fā)泡導(dǎo)熱硅膠墊片為如權(quán)利要求1-9中任一項(xiàng)所述的一種高強(qiáng)度超低介電性的發(fā)泡導(dǎo)熱硅膠墊片，所述制備方法包括以下步驟：

S1:將液體基膠和交聯(lián)劑、發(fā)泡劑預(yù)先攪拌混合均勻，并加溫120±5℃加熱，冷卻后得到膠料A；

S2:在膠料A中依次加入延遲劑、導(dǎo)熱填料、催化劑，通過開煉捏合攪拌充分混合均勻，得到膠料B；

S3:將膠料B進(jìn)行抽真空處理后，同時(shí)將膠料B在所述結(jié)構(gòu)抗拉層的上下兩表面加料，使所述結(jié)構(gòu)抗拉層夾在墊片中間，經(jīng)過壓延機(jī)壓延成特定厚度的膠片；

S4:把壓延好的膠片經(jīng)過120-150℃的烘箱烘烤，得到所述發(fā)泡導(dǎo)熱硅膠墊片。

11.如權(quán)利要求10所述的制備方法，其特征在于，在步驟S1中，加熱預(yù)處理的時(shí)間為10-30min，使所述發(fā)泡劑能夠正常發(fā)泡;所述發(fā)泡劑的分解溫度在90-115℃之間;在步驟S4中，烘烤溫度為120-150℃，烘烤時(shí)間為15-30min。

12.如權(quán)利要求11所述的制備方法，其特征在于，步驟S1加熱預(yù)處理的時(shí)間具體是控制在10±1min;步驟S4烘烤時(shí)間具體是控制在20±2min。