[發明專利]一種氧化銦錫薄膜的制備方法在審
| 申請號： | 202010938385.1 | 申請日： | 2020-09-09 |
| 公開（公告）號： | CN114231902A | 公開（公告）日： | 2022-03-25 |
| 發明（設計）人： | 郎鑫濤 | 申請（專利權）人： | 東莞新科技術研究開發有限公司 |
| 主分類號： | C23C14/08 | 分類號： | C23C14/08;C23C14/02;C23C14/34;C23C14/58 |
| 代理公司： | 廣州三環專利商標代理有限公司 44202 | 代理人： | 郝傳鑫 |
| 地址： | 523087 *** | 國省代碼： | 廣東;44 |
| 權利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 氧化 薄膜 制備 方法 | ||
1.一種氧化銦錫薄膜的制備方法，其特征在于，包括：
對基片進行預清洗處理，并對清洗后的基片進行烘干處理；其中，所述基片為陶瓷或玻璃；
將烘干后的基片放入真空腔內，在真空度為1*10-6Torr、機臺轉速為20r/min的條件下，對靶進行預濺射5min，以清洗靶面；其中，靶以銦錫氧化物作為靶材；
控制真空腔的溫度為120℃～150℃，在真空度為4.5*10-1Pa～5.5*10-1Pa、機臺轉速為20r/min的條件下，向真空腔內通入氬氣和氧氣，并對氧化銦錫靶材進行濺射，相應形成氧化銦錫薄膜；其中，氬氣和氧氣的體積比為20:1；
在退火溫度為300℃的條件下，將獲得的鍍膜基片退火處理40min。
2.如權利要求1所述的氧化銦錫薄膜的制備方法，其特征在于，所述對基片進行預清洗處理，具體包括：
將基片放置在去離子水中浸泡15min；
將基片放置在丙酮中超聲清洗20min；
將基片放置在乙醇中超聲清洗10min；
將基片放置在去離子水中超聲清洗15min～25min。
3.如權利要求1所述的氧化銦錫薄膜的制備方法，其特征在于，氬氣和氧氣的總氣壓為0.5Pa。
4.如權利要求1所述的氧化銦錫薄膜的制備方法，其特征在于，濺射電壓為350V～400V。
5.如權利要求1所述的氧化銦錫薄膜的制備方法，其特征在于，濺射功率為800W～1200W。
6.如權利要求1～5任一項所述的氧化銦錫薄膜的制備方法，其特征在于，所述鍍膜基片的厚度為0.1nm～0.25nm。
該專利技術資料僅供研究查看技術是否侵權等信息，商用須獲得專利權人授權。該專利全部權利屬于東莞新科技術研究開發有限公司，未經東莞新科技術研究開發有限公司許可，擅自商用是侵權行為。如果您想購買此專利、獲得商業授權和技術合作，請聯系【客服】
本文鏈接：http://www.szxzyx.cn/pat/books/202010938385.1/1.html，轉載請聲明來源鉆瓜專利網。
- 上一篇：增材制造方法
- 下一篇：同步信號塊傳輸方法、系統、通信設備和存儲介質
- 同類專利
- 專利分類
