[發明專利]一種半導體層的制造方法及制造系統

在審

• 申請號: 202010937773.8
• 申請日: 2020-09-09
• 公開（公告）號: CN111816551A
• 公開（公告）日: 2020-10-23
• 發明（設計）人: 宮保友;黃志賢;方建智;楊承憲
• 申請（專利權）人: 南京晶驅集成電路有限公司
• 主分類號: H01L21/02
• 分類號: H01L21/02;H01L21/67
• 代理公司: 上海光華專利事務所(普通合伙) 31219
• 代理人: 林凡燕

1.一種半導體層的制造方法，其特征在于，包括：

將第一晶圓置于腔體內，以在所述第一晶圓上形成金屬薄膜；其中，在形成所述金屬薄膜之前，所述腔體內的溫度為第一溫度；

將已形成所述金屬薄膜的所述第一晶圓轉移出所述腔體；其中，所述腔體內的溫度為第二溫度，所述第二溫度大于所述第一溫度；

向所述腔體內通入惰性氣體，以對所述腔體進行冷卻，以使所述腔體內的溫度變為所述第一溫度；

在所述腔體溫度為所述第一溫度之后，將第二晶圓置于所述腔體內，以在所述第二晶圓上形成所述金屬薄膜。

2.根據權利要求1所述的制造方法，其特征在于，在所述第一晶圓上形成所述金屬薄膜的步驟包括：

將所述第一晶圓置于所述腔體內的吸盤上；

向所述腔體內通入氣體；

進行沉積作業，以形成所述金屬薄膜。

3.根據權利要求1所述的制造方法，其特征在于，在所述第一晶圓上形成所述金屬薄膜的時間在50-60s之間。

4.根據權利要求1所述的制造方法，其特征在于，所述金屬薄膜的厚度為8000-10000埃。

5.根據權利要求1所述的制造方法，其特征在于，所述惰性氣體包括氬氣，氦氣或氮氣。

6.根據權利要求1所述的制造方法，其特征在于，向所述腔體內通入所述惰性氣體的時間在10-20s之間。

7.根據權利要求1所述的制造方法，其特征在于，在所述第一晶圓上形成所述金屬薄膜的步驟與在所述第二晶圓上形成所述金屬薄膜的步驟相同。

8.根據權利要求1所述的制造方法，其特征在于，所述金屬薄膜包括鋁薄膜，鈦薄膜或銅薄膜。

9.根據權利要求1所述的制造方法，其特征在于，所述第一溫度在280-300℃之間，所述第二溫度在301-350℃之間。

10.一種實現權利要求1-9任一所述的制造方法的半導體層的制造系統，其特征在于，包括：

沉積單元，包括一腔體，外部氣源和溫度感測單元；

其中，所述外部氣源設置在所述腔體上，用于向所述腔體內通入氣體；所述溫度感測單元位于所述腔體內，用于測量所述腔體內的溫度；

其中，當將第一晶圓置于所述腔體內時，所述溫度感測單元測量所述腔體內的溫度為第一溫度；當所述第一晶圓上形成金屬薄膜后，所述溫度感測單元測量所述腔體內的溫度為第二溫度；

其中，移出所述第一晶圓后，向所述腔體內通入惰性氣體，以對所述腔體進行冷卻，當所述溫度感測單元測量所述腔體內的溫度為所述第一溫度時，將第二晶圓置于所述腔體內，以在所述第二晶圓上形成所述金屬薄膜。