[發(fā)明專利]一種新型InGaAs紅外焦平面探測器的制備工藝有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 202010937303.1 | 申請日： | 2020-09-08 |
| 公開（公告）號： | CN112071956B | 公開（公告）日： | 2022-08-16 |
| 發(fā)明（設(shè)計）人： | 張家鑫;史衍麗;石慧;郭金萍;賈凱凱;王偉;劉璐;郭文姬;高煒;劉建林;徐文艾 | 申請（專利權(quán)）人： | 山西國惠光電科技有限公司 |
| 主分類號： | H01L31/18 | 分類號： | H01L31/18;H01L31/0232;H01L31/105 |
| 代理公司： | 北京惠科金知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11981 | 代理人： | 趙曉琳 |
| 地址： | 030006 山西省太原市*** | 國省代碼： | 山西;14 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 一種 新型 ingaas 紅外 平面 探測器 制備 工藝 | ||
1.一種新型InGaAs紅外焦平面探測器的制備工藝，其特征在于：包括有以下步驟：
第一步：利用MOCVD在InP襯底上依次生長N型InP金屬接觸層、吸收層In0.53Ga0.47As、帽層N型InP、犧牲層InGaAs，形成外延結(jié)構(gòu)；
第二步：用濕法去除犧牲層InGaAs，然后在帽層N型InP上沉積第一層氮化硅，形成鈍化層，為第一道光刻做準(zhǔn)備；
第三步：進(jìn)行第一道光刻開孔，干法刻蝕第一層氮化硅，進(jìn)行鋅擴(kuò)散，形成P型摻雜；
第四步：沉積第二層氮化硅，做第二道光刻開孔，干法刻蝕氮化硅，形成歐姆孔，為蒸鍍P型金屬做準(zhǔn)備；
第五步：做第三道光刻開孔，蒸鍍P型金屬并剝離，為形成P型歐姆接觸做準(zhǔn)備；
第六步：做第四道光刻，干法刻蝕第一層和第二層的氮化硅，濕法刻蝕帽層N型InP，為刻蝕吸收層In0.53Ga0.47As做準(zhǔn)備；
第七步：做第五道光刻，濕法刻蝕吸收層In0.53Ga0.47As，蒸鍍N型金屬并剝離，為形成N型歐姆接觸做準(zhǔn)備；
第八步：進(jìn)行P型金屬和N型金屬退火，使P型金屬和N型金屬形成歐姆接觸；
第九步：做第六道光刻開孔，蒸鍍Ti/Au并剝離，形成Ti/Au反射層；
第十步：沉積第四層氮化硅，做第七道光刻，干法刻蝕掉蓋在P型金屬和N型金屬上的第四層氮化硅，為蒸鍍銦柱做準(zhǔn)備；
第十一步：減薄、拋光InP襯底，并在拋光后的InP襯底上沉積增透膜，增加光的透射率；
第十二步：做第八道光刻，蒸鍍銦柱并剝離，形成二極管陣列，為倒裝焊互聯(lián)做準(zhǔn)備；
第十三步：二極管陣列與讀出電路進(jìn)行倒裝互聯(lián)，形成InGaAs紅外焦平面探測器芯片；截面上Ti/Au反射層的上側(cè)、下側(cè)以及其與P型金屬和P型金屬上的銦柱之間均有氮化硅。
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H01L 半導(dǎo)體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L31-00 對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射，或微粒輻射敏感的，并且專門適用于把這樣的輻射能轉(zhuǎn)換為電能的，或者專門適用于通過這樣的輻射進(jìn)行電能控制的半導(dǎo)體器件；專門適用于制造或處理這些半導(dǎo)體器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半導(dǎo)體本體為特征的
H01L31-04 .用作轉(zhuǎn)換器件的
H01L31-08 .其中的輻射控制通過該器件的電流的，例如光敏電阻器
H01L31-12 .與如在一個共用襯底內(nèi)或其上形成的，一個或多個電光源，如場致發(fā)光光源在結(jié)構(gòu)上相連的，并與其電光源在電氣上或光學(xué)上相耦合的
