[發明專利]開關裝置

有效

• 申請號: 202010933847.0
• 申請日: 2020-09-08
• 公開（公告）號: CN112490238B
• 公開（公告）日: 2023-10-20
• 發明（設計）人: 陳志欣;王世辰;賴宗沐;景文澔;羅俊元;張緯宸
• 申請（專利權）人: 力旺電子股份有限公司
• 主分類號: H01L27/02
• 分類號: H01L27/02;H01L29/06
• 代理公司: 深圳新創友知識產權代理有限公司 44223
• 代理人: 江耀純

1.一種開關裝置，其特征在于，包含：

P型基底；

第一柵極結構；

第一N型井，形成于所述P型基底上，且有部分設置在所述第一柵極結構的第一側下方；

淺溝槽隔離結構，形成于所述第一N型井，且有部分設置在所述第一柵極結構的所述第一側下方；

第一P型井，形成于所述P型基底上，且設置在所述第一柵極結構下方；

第二柵極結構；

第一N型摻雜區，形成于所述P型基底，且設置在所述第一柵極結構的第二側及所述第二柵極結構的第一側之間；

第二P型井，形成于所述P型基底，且設置在所述第二柵極結構下方；

第二N型摻雜區，形成于所述第二P型井，且有部分設置在所述第二柵極結構下方。

2.如權利要求1所述的開關裝置，其特征在于，另包含第三N型摻雜區，形成于所述第一N型井，且未被所述第一柵極結構所掩蓋，其中所述第三N型摻雜區的摻雜濃度大于所述第一N型井的摻雜濃度。

3.如權利要求1所述的開關裝置，其特征在于所述第一N型井具有摻雜濃度梯度。

4.如權利要求1所述的開關裝置，其特征在于，另包含第一輕摻雜P型井，形成于所述P型基底，其中：

所述第一N型井是形成于所述第一輕摻雜P型井；及

所述第一輕摻雜P型井的摻雜濃度小于所述第一P型井的摻雜濃度。

5.如權利要求4所述的開關裝置，其特征在于所述第一輕摻雜P型井具有摻雜濃度梯度。

6.如權利要求5所述的開關裝置，其特征在于所述第一輕摻雜P型井靠近所述第一N型井的部分具有較小的摻雜濃度。

7.如權利要求1所述的開關裝置，其特征在于，另包含第二N型井，形成于所述P型基底，其中所述第二N型井的第一部份是設置于所述第一柵極結構下方，所述第二N型井的第二部份是設置于所述第二柵極結構下方，及所述第一N型摻雜區是形成于所述第二N型井。

8.如權利要求7所述的開關裝置，其特征在于所述第一N型井及所述第二N型井具有摻雜濃度梯度。

9.如權利要求7所述的開關裝置，其特征在于，另包含第二輕摻雜P型井，形成于所述P型基底，其中：

所述第二N型井是形成于所述第二輕摻雜P型井；及

所述第二輕摻雜P型井的摻雜濃度小于所述第二P型井的摻雜濃度。

10.如權利要求9所述的開關裝置，其特征在于所述第二輕摻雜P型井具有摻雜濃度梯度。

11.如權利要求10所述的開關裝置，其特征在于所述第二輕摻雜P型井靠近所述第二N型井的部分具有較小的摻雜濃度。

12.如權利要求7所述的開關裝置，其特征在于所述第一N型井的摻雜濃度大于所述第二N型井的摻雜濃度。

13.如權利要求1所述的開關裝置，其特征在于當所述開關裝置在第一狀態時：

所述第二N型摻雜區接收第一參考電壓；

所述第二柵極結構接收所述第一參考電壓；

所述第一柵極結構接收第一操作電壓；及

所述第一N型井接收第二操作電壓；

其中所述第二操作電壓大于所述第一操作電壓，及所述第一操作電壓大于所述第一參考電壓。

14.如權利要求13所述的開關裝置，其特征在于：

當所述開關裝置是在所述第一狀態時，所述第一P型井及所述第二P型井接收第二參考電壓；及

所述第二參考電壓小于或等于所述第一參考電壓。