[發(fā)明專利]一種自激注入晶體振蕩器在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 202010933422.X | 申請日： | 2020-09-08 |
| 公開（公告）號： | CN112217476A | 公開（公告）日： | 2021-01-12 |
| 發(fā)明（設(shè)計）人： | 任力爭;張瀟宇;李曉敏 | 申請（專利權(quán)）人： | 南京低功耗芯片技術(shù)研究院有限公司 |
| 主分類號： | H03B5/04 | 分類號： | H03B5/04;H03B5/30 |
| 代理公司： | 南京蘇高專利商標(biāo)事務(wù)所(普通合伙) 32204 | 代理人： | 吳海燕 |
| 地址： | 210000 江蘇省南京*** | 國省代碼： | 江蘇;32 |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 一種 注入 晶體振蕩器 | ||
1.一種自激注入晶體振蕩器，其特征在于，包括石英晶體、啟動電路、穩(wěn)態(tài)電路、第一負(fù)載電容(CLp)、第二負(fù)載電容(CLn)，第一選擇開關(guān)(S00)、第二選擇開關(guān)(S01)；
石英晶體的Xp端接第一負(fù)載電容(CLp)的上極板和第一選擇開關(guān)(S00)的右端；第一負(fù)載電容(CLp)的下極板接地；
石英晶體的Xn端接第二負(fù)載電容(CLn)的上極板和第二選擇開關(guān)(S01)的右端；第二負(fù)載電容(CLn)的下極板接地；
在啟動模式下，第一選擇開關(guān)(S00)接啟動電路的P端；第二選擇開關(guān)(S01)接啟動電路的N端；
在穩(wěn)態(tài)模式下，第一選擇開關(guān)(S00)接穩(wěn)態(tài)電路的P端；第二選擇開關(guān)(S01)接穩(wěn)態(tài)電路的N端。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的自激注入晶體振蕩器，其特征在于，所述啟動電路包括比較器、開關(guān)電路和數(shù)字控制模塊；
第一比較器(A)的負(fù)輸入端接電源(VDD)和第一開關(guān)電路(S1)的左端，第一比較器(A)的正輸入端接第一開關(guān)電路(S1)的右端、啟動電路的P端和第三開關(guān)電路(S3)的上端；第一比較器(A)的輸出端接數(shù)字控制模塊的Sp端；
第二比較器(B)的負(fù)輸入端接電源(VDD)和第二開關(guān)電路(S2)的右端，第二比較器(B)的正輸入端接第二開關(guān)電路(S2)的左端、啟動電路的N端和第四開關(guān)電路(S4)的上端；第二比較器(B)的輸出端接數(shù)字控制模塊的Sn端。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的自激注入晶體振蕩器，其特征在于，數(shù)字控制模塊的輸出端SW接第四開關(guān)電路(S4)和第一開關(guān)電路(S1)的控制端；數(shù)字控制模塊的輸出端SWn接第三開關(guān)電路(S3)和第二開關(guān)電路(S2)的控制端。
4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的自激注入晶體振蕩器，其特征在于，第三開關(guān)電路(S3)的下端接地；第四開關(guān)電路(S4)的下端接地。
5.根據(jù)權(quán)利要求2所述的自激注入晶體振蕩器，其特征在于，數(shù)字控制模塊控制四個開關(guān)電路開通關(guān)斷的具體過程：S1和S4閉合，S2和S3斷開，P端通過開關(guān)S1接VDD，N端通過S4接地，晶體受到激勵后產(chǎn)生振蕩信號；當(dāng)比較器A正輸入端電壓超過負(fù)輸入端電壓后，數(shù)字控制模塊切換四個開關(guān)的狀態(tài)，S2和S3閉合，S1和S4斷開，P端通過開關(guān)S3接地，N端通過S2接VDD；當(dāng)比較器B正輸入端電壓超過負(fù)輸入端電壓后，數(shù)字控制模塊再次切換四個開關(guān)的狀態(tài)。
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