[發明專利]掩膜坯、掩膜坯的制造方法、光掩膜及光掩膜的制造方法

在審

• 申請號: 202010933261.4
• 申請日: 2020-09-08
• 公開（公告）號: CN112558408A
• 公開（公告）日: 2021-03-26
• 發明（設計）人: 諸沢成浩
• 申請（專利權）人: 愛發科成膜株式會社
• 主分類號: G03F1/46
• 分類號: G03F1/46;G03F1/50;G03F1/54;G03F1/58
• 代理公司: 北京德琦知識產權代理有限公司 11018
• 代理人: 刁興利;康泉

1.一種掩膜坯，具有作為相移掩膜的層，其中，所述掩膜坯具有：

相移層，層疊于透明基板；

防反射層，被設置在比所述相移層更遠離所述透明基板的位置；以及

密合層，被設置在比所述防反射層更遠離所述透明基板的位置，

所述相移層含有鉻，

所述防反射層含有硅化鉬和氧，

所述密合層含有鉻和氧，

以具有對光致抗蝕劑層能夠形成圖案的密合性的方式設定所述密合層的氧含有率。

2.根據權利要求1所述的掩膜坯，其中，所述密合層的所述氧含有率在8.4原子％～65.7原子％的范圍。

3.根據權利要求2所述的掩膜坯，其中，所述密合層含有氮，所述密合層的氮含有率在3.7原子％～42.3原子％的范圍。

4.根據權利要求2或權利要求3所述的掩膜坯，其中，所述密合層含有碳，所述密合層的碳含有率在2.2原子％～2.3原子％的范圍。

5.根據權利要求2或權利要求3所述的掩膜坯，其中，所述密合層的鉻含有率在25.2原子％～42.4原子％的范圍。

6.根據權利要求1所述的掩膜坯，其中，所述密合層的膜厚在5nm～15nm的范圍。

7.根據權利要求1所述的掩膜坯，其中，所述防反射層的氧含有率在6.7原子％～63.2原子％的范圍。

8.根據權利要求7所述的掩膜坯，其中，所述防反射層含有氮，所述防反射層的氮含有率在4.6原子％～39.3原子％的范圍。

9.根據權利要求1所述的掩膜坯，其中，具有被設置在比所述密合層更遠離所述透明基板的位置的光致抗蝕劑層。

10.一種掩膜坯的制造方法，制造權利要求1至權利要求9中任一項所述的掩膜坯，所述掩膜坯的制造方法具有：

相移層形成工序，在所述透明基板層疊含有鉻的所述相移層；

防反射層形成工序，在比所述相移層更遠離所述透明基板的位置層疊含有硅化鉬和氧的所述防反射層；以及

密合層形成工序，在比所述防反射層更遠離所述透明基板的位置層疊含有鉻和氧的所述密合層，

在所述密合層形成工序中，通過設定作為濺射中的供給氣體的含氧氣體的分壓，從而以具有對光致抗蝕劑層能夠形成圖案的密合性的方式來形成所述密合層。

11.根據權利要求10所述的掩膜坯的制造方法，其中，

在所述密合層形成工序中，通過設定所述含氧氣體的分壓，從而隨著氧含有率的增加而增大所述密合層的密合性。

12.根據權利要求11所述的掩膜坯的制造方法，其中，

在所述密合層形成工序中，將所述含氧氣體的分壓比設定在0.00～0.30的范圍。

13.根據權利要求12所述的掩膜坯的制造方法，其中，

在所述密合層形成工序中，所述含氧氣體被設為NO。

14.一種光掩膜，其中，由權利要求1至權利要求9中任一項所述的掩膜坯來制造。

15.一種光掩膜的制造方法，制造權利要求14所述的光掩膜，所述光掩膜的制造方法具有：

相移圖案形成工序，在所述相移層形成圖案；

防反射圖案形成工序，在所述防反射層形成圖案；以及

密合圖案形成工序，在所述密合層形成圖案，

所述相移圖案形成工序以及所述密合圖案形成工序中的蝕刻液與所述防反射圖案形成工序中的蝕刻液不同。