[發明專利]一種原位生長制備的鈣鈦礦太陽能電池

有效

• 申請號: 202010932606.4
• 申請日: 2020-09-08
• 公開（公告）號: CN112133836B
• 公開（公告）日: 2022-09-06
• 發明（設計）人: 原浩博;張京;俞陸婷;章澤群;郭同輝;諸躍進
• 申請（專利權）人: 寧波大學
• 主分類號: H01L51/46
• 分類號: H01L51/46;H01L51/42;H01L51/48
• 代理公司: 杭州五洲普華專利代理事務所(特殊普通合伙) 33260
• 代理人: 丁少華

1.一種原位生長制備的鈣鈦礦太陽能電池，包括導電玻璃層、氧化錫層、鈣鈦礦層、鈣鈦礦修飾層、空穴傳輸層以及金屬電極層，其特征在于，所述鈣鈦礦層為CH₃NH₃PbI₃多晶膜，鈣鈦礦修飾層為(CH₃NH₃)₃Sb₂I₉修飾層。

2.根據權利要求1所述的原位生長制備的鈣鈦礦太陽能電池，其特征在于，所述(CH₃NH₃)₃Sb₂I₉修飾層的制備方法為，將SbI₃修飾液旋涂于CH₃NH₃PbI₃多晶膜上，以使SbI₃與富余CH₃NH₃⁺結合進行原位生長，以形成(CH₃NH₃)₃Sb₂I₉修飾層。

3.根據權利要求2所述的原位生長制備的鈣鈦礦太陽能電池，其特征在于，所述SbI₃與CH₃NH₃⁺結合后在95℃條件下加熱10min。

4.根據權利要求3所述的原位生長制備的鈣鈦礦太陽能電池，其特征在于，所述(CH₃NH₃)₃Sb₂I₉修飾層加熱完成后用氯苯進行清洗，以清除多余的SbI₃。

5.根據權利要求2所述的原位生長制備的鈣鈦礦太陽能電池，其特征在于，所述SbI₃修飾液的配置方法如下：將SbI₃固體粉末溶解于甲醇，形成25mM/L SbI₃的甲醇溶液作為原液，將一部分原液溶解至異丙醇中，形成0.625-2.5mM/L的SbI₃修飾液，整個配置過程在惰性氣體環境下進行。

6.根據權利要求1所述的原位生長制備的鈣鈦礦太陽能電池，其特征在于，所述氧化錫層厚度為20-200nm，CH₃NH₃PbI₃多晶膜的厚度為200nm-1.5μm，空穴傳輸層厚度為50-500nm，金屬電極層厚度為50-200nm。