[發(fā)明專利]掩膜版、圖形制作裝置和圖形制作方法在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 202010932192.5 | 申請日: | 2020-09-08 |
| 公開(公告)號: | CN112034675A | 公開(公告)日: | 2020-12-04 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | 孫曉靜;高威 | 申請(專利權(quán))人: | 南京中電熊貓液晶顯示科技有限公司 |
| 主分類號: | G03F1/32 | 分類號: | G03F1/32;G03F1/54;G03F1/76;G02B5/30 |
| 代理公司: | 暫無信息 | 代理人: | 暫無信息 |
| 地址: | 210033 江蘇省*** | 國省代碼: | 江蘇;32 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 掩膜版 圖形 制作 裝置 制作方法 | ||
本發(fā)明涉及一種掩膜版,包括掩膜基板、間隔設(shè)置在所述掩膜基板上的若干個遮光部以及位于各個所述遮光部之間的若干個開口區(qū),其特征在于,至少一個所述開口區(qū)內(nèi)設(shè)置有偏光膜,至少一個所述開口區(qū)內(nèi)不設(shè)置偏光膜。本發(fā)明還涉及一種圖形制作裝置和方法,通過采用本發(fā)明的掩膜版,可以制作不同比例大小的圖形,滿足對不同客戶的設(shè)計需求,縮短了產(chǎn)品的開發(fā)周期,降低了生產(chǎn)的成本。
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明屬于顯示技術(shù)領(lǐng)域,尤其涉及一種掩膜版、圖形制作裝置和圖形制作方法。
背景技術(shù)
在液晶顯示面板的制作過程中,通常會使用曝光技術(shù),所謂曝光技術(shù),是利用光照將掩膜版上的圖形經(jīng)過光照后投影到光刻膠上,實(shí)現(xiàn)圖形轉(zhuǎn)移。
在很多情況下,需要在一次曝光過程中獲得尺寸、比例不相同的圖形,如主輔隔墊物的制作中,需要獲得高低不同的主、輔隔墊物。而現(xiàn)有技術(shù)中,如圖1所示,通常采用半色調(diào)(halftone)曝光技術(shù),即使用一張包括掩膜基板1、遮光部2、半色調(diào)開口區(qū)3和正常開口區(qū)4的半色調(diào)掩膜版,其中半色調(diào)開口區(qū)3鍍以半透膜,當(dāng)光照通過半色調(diào)開口區(qū)時光強(qiáng)會減弱,而正常開口區(qū)則不會,通過該方式可以獲得不同透過率的光,從而通過一次曝光顯影過程,同時制作出尺寸、比例不相同的圖形5。
然而,在實(shí)際工藝中,會面對不同客戶和實(shí)驗(yàn)等需求,往往需要不斷調(diào)節(jié)圖形的尺寸和比例,由于半色調(diào)掩膜版的半色調(diào)開口區(qū)域的透過率是固定不變的,現(xiàn)有技術(shù)中,只能制作不同的半色調(diào)掩膜版來獲得不同的半色調(diào)開口區(qū),從而獲得不同的透過率光,以適應(yīng)不同的圖形制作要求。然而,上述方法不僅使得產(chǎn)品開發(fā)周期延長,還增加了產(chǎn)品資金投入。
面對上述問題,急需開發(fā)能夠節(jié)約成本和縮短周期的掩膜版以及相應(yīng)的圖形制作裝置和方法。
發(fā)明內(nèi)容
為解決上述技術(shù)問題,本發(fā)明提出一種可變透過率掩膜版,通過對現(xiàn)有技術(shù)中掩膜版的改進(jìn),只需要使用一張掩膜版,就可以制作不同比例大小的圖形,滿足對不同客戶的設(shè)計需求,縮短了產(chǎn)品的開發(fā)周期,降低了生產(chǎn)的成本。
具體地,本發(fā)明提出了一種掩膜版,包括掩膜基板、間隔設(shè)置在所述掩膜基板上的若干個遮光部以及位于各個所述遮光部之間的若干個開口區(qū),其特征在于,至少一個所述開口區(qū)內(nèi)設(shè)置有偏光膜,至少一個所述開口區(qū)內(nèi)不設(shè)置偏光膜。
進(jìn)一步的,所述偏光膜為金屬偏光膜或碘系偏光膜或染料系偏光膜或聚乙烯偏光膜。
本發(fā)明還提出一種圖形制作裝置,對待圖形化基板進(jìn)行圖形化制作,包括上述掩膜版,還包括偏振光源。
進(jìn)一步的,所述偏振光源包括光源和覆蓋在所述光源上的偏光膜。
進(jìn)一步的,所述待圖形化基板為彩膜基板或陣列基板。
本發(fā)明還提出一種圖形制作方法,采用上述圖形制作裝置,包括如下步驟:
S1:所述掩膜版平行置于所述待圖形化基板上方;
S2:所述偏振光源的照射方向垂直于所述掩膜版;
S3:在平面內(nèi)旋轉(zhuǎn)所述偏振光源,調(diào)整所述偏振光源的偏振方向和所述掩膜版的偏光膜的偏振方向之間的角度;
S4:在設(shè)置有偏光膜的所述開口區(qū)形成不同的透光率,在待圖形化基板上形成不同尺寸比例的圖形。
本發(fā)明還提出另一種圖形制作裝置,對待圖形化基板進(jìn)行圖形化制作,包括上述掩膜版,還包括光源和偏振基板。
進(jìn)一步的,所述偏振基板位于所述掩膜版和光源之間。
進(jìn)一步的,所述偏振基板也可以是位于所述掩膜版和待圖形化基板之間。
進(jìn)一步的,所述待圖形化基板為彩膜基板或陣列基板。
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G03F 圖紋面的照相制版工藝,例如,印刷工藝、半導(dǎo)體器件的加工工藝;其所用材料;其所用原版;其所用專用設(shè)備
G03F1-00 用于圖紋面的照相制版的原版,例如掩膜,光掩膜;其所用空白掩膜或其所用薄膜;其專門適用于此的容器;其制備
G03F1-20 .用于通過帶電粒子束(CPB)輻照成像的掩膜或空白掩膜,例如通過電子束;其制備
G03F1-22 .用于通過100nm或更短波長輻照成像的掩膜或空白掩膜,例如 X射線掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM];PSM空白;其制備
G03F1-36 .具有臨近校正特征的掩膜;其制備,例如光學(xué)臨近校正(OPC)設(shè)計工藝
G03F1-38 .具有輔助特征的掩膜,例如用于校準(zhǔn)或測試的特殊涂層或標(biāo)記;其制備





