[發明專利]單晶金剛石外延生長方法、單晶金剛石及其片狀籽晶在審
| 申請號： | 202010931816.1 | 申請日： | 2020-09-08 |
| 公開（公告）號： | CN112048760A | 公開（公告）日： | 2020-12-08 |
| 發明（設計）人： | 張軍安 | 申請（專利權）人： | 寧波晶鉆工業科技有限公司 |
| 主分類號： | C30B29/04 | 分類號： | C30B29/04;C30B25/20 |
| 代理公司： | 寧波聚禾專利代理事務所(普通合伙) 33336 | 代理人： | 糜婧 |
| 地址： | 315000 浙江省寧*** | 國省代碼： | 浙江;33 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 金剛石 外延 生長 方法 及其 片狀 籽晶 | ||
1.一種單晶金剛石同質外延生長方法，其特征在于，包括以下步驟：
S1.提供一單晶金剛石的片狀籽晶，所述片狀籽晶具有進行生長的頂面、與所述頂面相對的底面以及位于所述頂面與所述底面之間的側面，所述側面從所述底面到所述頂面向內傾斜地延伸；
S2.將所述片狀籽晶頂面朝上地設置在氣相合成設備的基臺上，然后采用氣相合成法在所述片狀籽晶上進行同質外延生長。
2.根據權利要求1所述的單晶金剛石同質外延生長方法，其特征在于，所述片狀籽晶的所述側面與所述底面之間的夾角α為70°～88°。
3.根據權利要求1所述的單晶金剛石同質外延生長方法，其特征在于，所述步驟S1中，所述片狀籽晶的橫截面呈矩形，所述片狀籽晶的厚度不小于1.5mm，生長晶面為(100)晶面。
4.根據權利要求1-3任一所述的單晶金剛石同質外延生長方法，其特征在于，所述步驟S1包括以下步驟：
S11.提供一單晶金剛石的籽晶，其邊緣以及表面無多晶、崩口和裂紋；
S12.對所述籽晶的四邊進行傾斜切割，以得到縱截面呈梯形的所述片狀籽晶；
S13.對所述片狀籽晶的表面進行刻蝕以及清洗，以去除雜質。
5.根據權利要求1-3任一所述的單晶金剛石同質外延生長方法，其特征在于，所述步驟S2之后，還包括步驟S3：將制得的單晶金剛石翻面放置，以使得所述單晶金剛石面積較小的一面朝上，然后采用氣相合成法進行同質外延生長。
6.根據權利要求5所述的單晶金剛石同質外延生長方法，其特征在于，重復操作所述步驟S3，直至得到所需的單晶金剛石。
7.一種單晶金剛石，其特征在于，采用權利要求1-6任一所述的單晶金剛石同質外延生長方法制得。
8.一種單晶金剛石的片狀籽晶，其特征在于，所述片狀籽晶具有用于生長的頂面、與所述頂面相對的底面以及位于所述頂面與所述底面之間的側面，所述側面從所述底面到所述頂面向內傾斜地延伸。
9.根據權利要求8所述的片狀籽晶，其特征在于，所述片狀籽晶的橫截面呈矩形，縱截面呈梯形，所述片狀籽晶的生長晶面為(100)晶面。
10.根據權利要求8或9所述的片狀籽晶，其特征在于，所述片狀籽晶的所述側面與所述底面的夾角為70°～88°。
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