[發明專利]一種反激變換器輸入電壓副邊檢測電路

有效

• 申請號: 202010931460.1
• 申請日: 2020-09-07
• 公開（公告）號: CN112198358B
• 公開（公告）日: 2021-10-01
• 發明（設計）人: 羅康;權良玉;厲干年;李華銘;張余進
• 申請（專利權）人: 上海軍陶科技股份有限公司
• 主分類號: G01R19/00
• 分類號: G01R19/00;H02M3/335
• 代理公司: 廣州三環專利商標代理有限公司 44202
• 代理人: 陳旭紅;吳落

1.一種反激變換器輸入電壓副邊檢測電路，其特征在于，包括原邊電路和副邊電路；其中，

所述原邊電路包括開關管和原邊繞組；所述副邊電路包括副邊第一電路；其中，

所述副邊第一電路，包括：

副邊第一繞組，所述副邊第一繞組的同名端分別連接第一二極管的陽極和第三二極管的陰極，所述副邊第一繞組的異名端分別連接第二二極管的陰極和第四二極管的陽極；

由第一電阻、第二電阻和第一電容組成的濾波電路的兩端分別連接所述第一二極管的陰極和第二二極管的陽極；其中，所述第一電阻的一端連接于所述第一二極管的陰極，第一電阻的另一端連接于第一電容的一端；所述第一電容的另一端連接于所述第二二極管的陽極；所述第二電阻和所述第一電容并聯，其兩端電壓為所述原邊電路輸入電壓的檢測值；

第二電容的兩端分別連接所述第三二極管的陽極和所述第四二極管的陰極；

所述開關管的開關周期小于所述第一電容與第二電阻的乘積，且所述第一電阻小于第二電阻。

2.如權利要求1所述的反激變換器輸入電壓副邊檢測電路，其特征在于，所述開關管為場效應管增強型N-MOS。

3.如權利要求1所述的反激變換器輸入電壓副邊檢測電路，其特征在于，所述副邊電路還包括副邊第二電路；

所述副邊第二電路，包括：

副邊第二繞組，以及串聯的第五二極管和第三電容；所述副邊第二繞組的同名端與異名端分別連接所述第五二極管的陽極和所述第三電容的一端。

4.如權利要求1所述的反激變換器輸入電壓副邊檢測電路，其特征在于，所述第一電容與所述第二二極管的連接端接地，所述第二電容與所述第三二極管的連接端接地。