[發明專利]二惡英類化合物及其制備方法和應用

在審

• 申請號: 202010931127.0
• 申請日: 2020-09-07
• 公開（公告）號: CN112010866A
• 公開（公告）日: 2020-12-01
• 發明（設計）人: 高榮榮;張東旭
• 申請（專利權）人: 京東方科技集團股份有限公司
• 主分類號: C07D493/04
• 分類號: C07D493/04;C07D495/04;C07F9/6561;H01L51/54;H01L51/50
• 代理公司: 北京清亦華知識產權代理事務所(普通合伙) 11201
• 代理人: 戴冬瑾

1.一種二惡英類化合物，其特征在于，所述二惡英類化合物的通式為：

其中，X為O、S或NR，R、R1、R2、R3各自獨立的為氫、氘、鹵素、氰基、硝基、C₁～C₄₀的烷基、C₂～C₄₀的烯基、C₂～C₄₀的炔基、C₃～C₄₀的環烷基、C₃～C₄₀的雜環烷基、C₆～C₆₀的芳基、C₅～C₆₀的雜芳基、C₁～C₄₀的烷氧基、C₆～C₆₀的芳氧基、C₃～C₄₀的烷基甲硅烷基、C₆～C₆₀的芳基甲硅烷基、C₁～C₄₀的烷基硼基、C₆～C₆₀的芳基硼基、C₆～C₆₀的芳基亞膦基、C₆～C₆₀的單或二芳基膦基或C₆～C₆₀的芳基胺基；

L表示直接鍵合，或L為取代或未取代的C₆～C₆₀亞芳基，或L為包含有第一雜原子的C₂～C₆₀的雜芳基，

A的通式為

其中，Ar1和Ar2各自獨立的為取代或未取代的芳基、苯基、聯苯基或含有第二雜原子的雜環基，B為O、S或Se；

X1、X2和X3為分別C或N且至少之一為N，R4、R5和R6各自獨立的為C₅～C₃₀的芳族或雜芳族環體系。

2.根據權利要求1所述的二惡英類化合物，其特征在于，R4、R5和R6中的至少之一可被R3取代。

3.根據權利要求1所述的二惡英類化合物，其特征在于，所述第一雜原子為N、O、S和Si中的至少之一。

4.根據權利要求1所述的二惡英類化合物，其特征在于，所述第二雜原子為N、O和S中的至少之一。

5.根據權利要求1所述的二惡英類化合物，其特征在于，R4、R5和R6中的至少之一含有第三雜原子，第三雜原子為N、S和B中的至少之一。

6.根據權利要求5所述的二惡英類化合物，其特征在于，鍵合到同一所述第三雜原子上的第一基團和第二基團通過單鍵連接，或所述第一基團和所述第二基團通過B(R3)、C(R3)₂、Si(R3)₂、C＝O、C＝NR3、C＝C(R3)₂、O、S、S＝O、SO₂、N(R3)、P(R3)或P(＝O)R3的橋連連接。

7.根據權利要求6所述的二惡英類化合物，其特征在于，所述第一基團和所述第二基團各自獨立的為苯基、芳基或烷基。

8.根據權利要求1～7中任一項所述的二惡英類化合物，其特征在于，所述二惡英類化合物可為

9.一種權利要求1-8中任一項所述的二惡英類化合物的制備方法，其特征在于，包括：

與中間物反應得到所述二惡英類化合物。

10.根據權利要求9所述的方法，其特征在于，制備所述二惡英類化合物的步驟為：

11.一種電子傳輸層，其特征在于，包括1-8中任一項所述的二惡英類化合物。