[發明專利]存儲器控制器及其操作方法

在審

• 申請號: 202010930727.5
• 申請日: 2020-09-07
• 公開（公告）號: CN113342566A
• 公開（公告）日: 2021-09-03
• 發明（設計）人: 張宰潤;樸晶洙
• 申請（專利權）人: 愛思開海力士有限公司
• 主分類號: G06F11/10
• 分類號: G06F11/10
• 代理公司: 北京路浩知識產權代理有限公司 11002
• 代理人: 趙永莉;李青

本公開包括一種存儲器控制器及其操作方法。控制存儲器裝置的操作的存儲器控制器包括奇偶校驗模塊，被配置成使用待存儲在存儲器裝置中的數據執行一個或多個異或運算，并根據一個或多個異或運算生成奇偶校驗；以及恢復控制器，被配置成基于執行異或運算的次數來控制奇偶校驗模塊將奇偶校驗存儲在存儲器裝置中。

相關申請的交叉引用

本申請要求于2020年3月3日提交的申請號為10-2020-0026650的韓國專利申請的優先權，該韓國專利申請的全部內容通過引用并入本文。

技術領域

本公開涉及一種電子裝置，更具體地，涉及一種存儲器控制器及其操作方法。

背景技術

存儲裝置存儲數據。存儲裝置包括其中存儲數據的存儲器裝置和控制存儲器裝置的存儲器控制器。通過使用諸如硅(Si)、鍺(Ge)、砷化鎵(GaAs)或磷化銦(InP)的半導體實施存儲器裝置。存儲器裝置可以是易失性存儲器裝置或非易失性存儲器裝置。

在易失性存儲器裝置中，當其電源被切斷時所存儲的數據丟失。易失性存儲器裝置的示例包括靜態RAM(SRAM)、動態RAM(DRAM)、同步DRAM(SDRAM)等。

即使其電源被切斷，非易失性存儲器裝置也保留所存儲的數據。非易失性存儲器裝置的示例包括只讀存儲器(ROM)、可編程ROM(PROM)、電可編程ROM(EPROM)、電可擦除可編程ROM(EEPROM)、閃速存儲器、相變RAM(PRAM)、磁性RAM(MRAM)、電阻式RAM(RRAM)、鐵電RAM(FRAM)等。閃速存儲器具有NOR型或NAND型。

存儲器裝置可包括奇偶校驗，當在讀取數據中出現錯誤時，奇偶校驗用于恢復數據。

發明內容

本公開的實施例提供一種具有改善的性能的存儲器控制器及其操作方法。

根據本公開的實施例的存儲器控制器控制存儲器裝置的操作。該存儲器控制器包括奇偶校驗模塊，被配置成使用待存儲在存儲器裝置中的數據執行一個或多個異或運算，并根據一個或多個異或運算生成奇偶校驗；以及恢復控制器，被配置成基于執行異或運算的次數來控制奇偶校驗模塊將奇偶校驗存儲在存儲器裝置中。

根據本公開的實施例的存儲器控制器控制存儲器裝置的操作。該存儲器控制器包括奇偶校驗模塊，被配置成使用待存儲在存儲器裝置中的數據執行閾值次數的異或運算，并根據異或運算生成奇偶校驗；以及恢復控制器，被配置成控制奇偶校驗模塊在數據存儲完成之前將奇偶校驗存儲在存儲器裝置中。

根據本公開的實施例的存儲裝置包括存儲器裝置，該存儲器裝置包括多個存儲器單元以及存儲器控制器，該存儲器控制器被配置成使用待存儲在存儲器裝置中的數據執行至少一次異或運算，并基于已執行異或運算的次數將根據異或運算生成的奇偶校驗提供給存儲器裝置。

根據本公開的實施例的存儲器控制器的操作方法包括：在一組數據單元的當前數據單元和先前的子奇偶校驗單元之間執行按位XOR運算，以生成當前子奇偶校驗單元；在對該組進行緩沖的同時，對該組中的其它數據單元中的每一個的執行迭代；一旦迭代完成，控制存儲器裝置將當前子奇偶校驗單元存儲在奇偶校驗區域中；并在存儲當前子奇偶校驗單元之后，控制存儲器裝置將緩沖后的組存儲在數據區域中。

根據本技術的實施例，存儲器系統的數據恢復功能可以得到改善。

附圖說明

圖1是示出根據本公開的實施例的存儲裝置的框圖。

圖2A是示出存儲器裝置的一方面的示圖。

圖2B是示出使用奇偶校驗來恢復數據的方法的示圖。

圖2C是示出數據塊和奇偶校驗被存儲在存儲器裝置中的操作的示圖。

圖3是示出根據實施例的存儲器控制器的框圖。