[發明專利]空間激光薄膜制備方法

有效

• 申請號: 202010928969.0
• 申請日: 2020-09-07
• 公開（公告）號: CN112267098B
• 公開（公告）日: 2022-03-08
• 發明（設計）人: 王胭脂;王志皓;張宇暉;陳瑞溢;許貝貝;朱曄新;趙嬌玲;邵宇川;易葵;賀洪波;邵建達
• 申請（專利權）人: 中國科學院上海光學精密機械研究所
• 主分類號: C23C14/34
• 分類號: C23C14/34;C23C14/02;C23C14/54;C23C14/08;C23C14/10
• 代理公司: 上海恒慧知識產權代理事務所(特殊普通合伙) 31317
• 代理人: 張寧展

1.空間激光薄膜制備方法，其特征在于該方法包含以下步驟：

(1)去除基底表面污染物和亞表面缺陷；

(2)選擇SiO₂、Al₂O₃和MgF₂中的一種作為抗輻照保護層，并在基底上鍍膜，所述的抗輻照保護層位于入射介質層上面，其中SiO₂、MgF₂適用于紫外波段，Al₂O₃適用于可見和紅外波段；

在基底上鍍膜的具體步驟為：

(2.1)擦洗鍍膜機內真空腔室，進行真空抽氣；

(2.2)將基底和靶材放入鍍膜機中，關閉真空艙艙門，再次進行真空抽氣，控制鍍膜機內真空室的本底真空度為10^-5-10^-7Pa；

(2.3)加熱基底使其溫度保持在80℃～120℃；

(2.4)使用離子源輔助的物理氣相沉積方法鍍膜，氬氣作為離子源氣體，并充入氧氣，充氧量為5-45sccm使靶材原子充分氧化，控制膜料分子在基底上的沉積速率為0.15-0.40nm/s。

2.根據權利要求1所述的空間激光薄膜制備方法，其特征在于：所述步驟(1)的具體步驟為

(1.1)將基底經過超聲清洗10～30min，再用去離子水沖洗，最后用高純氮氣吹干；

(1.2)對基底進行氫氟酸刻蝕或離子束刻蝕，刻蝕深度為180-220nm。

3.根據權利要求1所述的空間激光薄膜制備方法，其特征在于：所述基底材料為抗空間輻照基底材料。

4.根據權利要求1所述的空間激光薄膜制備方法，其特征在于：所述激光薄膜是由SiO₂、Al₂O₃、MgF₂、TiO₂、Ta₂O₅、ZrO₂、HfO₂、Nb₂O₅中的一種或多種。

5.根據權利要求1所述的空間激光薄膜制備方法，步驟(2.4)中離子源輔助的物理氣相沉積方法為雙離子束濺射、離子束輔助沉積、磁控濺射中的一種。

6.根據權利要求5所述的空間激光薄膜制備方法，其特征在于，所述的雙離子束濺射是采用氬氣作為主離子源氣體，主離子源電壓為1150-1350V，以氬氣和氧氣作為輔助離子源氣體，輔助離子源電壓為500-700V，氬氣和氧氣流量比為1:4-1:6。