[發明專利]一種外延生長方法有效
| 申請號： | 202010928647.6 | 申請日： | 2020-09-07 |
| 公開（公告）號： | CN112017953B | 公開（公告）日： | 2023-10-24 |
| 發明（設計）人： | 張豪;郭海峰 | 申請（專利權）人： | 長江存儲科技有限責任公司 |
| 主分類號： | H01L21/20 | 分類號： | H01L21/20;H10B41/27;H10B41/35;H10B43/27;H10B43/35 |
| 代理公司： | 上海專利商標事務所有限公司 31100 | 代理人： | 駱希聰 |
| 地址： | 430079 湖北省武*** | 國省代碼： | 湖北;42 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 外延 生長 方法 | ||
1.一種外延生長方法，包括以下步驟：
提供半導體結構；
充入鍺烷(GeH4)和載氣的混合氣體并在預設溫度下烘烤所述半導體結構，所述鍺烷(GeH4)在所述預設溫度下分解產生鍺原子和/或鍺原子簇；以及
進行硅或硅基材料的外延生長。
2.根據權利要求1所述的外延生長方法，其特征在于，所述硅基材料包括硅鍺材料。
3.根據權利要求1所述的外延生長方法，其特征在于，所述混合氣體還包括氯化氫(HCl)。
4.根據權利要求1所述的外延生長方法，其特征在于，所述預設溫度為600攝氏度至800攝氏度。
5.根據權利要求1所述的外延生長方法，其特征在于，充入所述混合氣體時，所述鍺烷(GeH4)的流量為200-350毫升/分鐘。
6.根據權利要求3所述的外延生長方法，其特征在于，充入所述混合氣體時，所述鍺烷(GeH4)的流量為250-350毫升/分鐘，所述氯化氫(HCl)的流量為大于零且小于或等于100毫升/分鐘。
7.根據權利要求1至6中任一項所述的外延生長方法，其特征在于，所述載氣的流量為19000-20000毫升/分鐘。
8.根據權利要求1所述的外延生長方法，其特征在于，所述半導體結構上形成有溝道孔，所述進行硅或硅基外延生長，包括：
在所述溝道孔內進行硅或硅基外延生長。
9.根據權利要求8所述的外延生長方法，其特征在于，
在充入鍺烷(GeH4)和載氣的混合氣體之前，還包括：
對所述溝道孔進行清洗；
對所述半導體結構進行高溫退火處理。
10.根據權利要求8所述的外延生長方法，其特征在于，所述半導體結構包括襯底和位于襯底上的堆疊層，所述溝道孔沿堆疊方向穿過所述堆疊層并延伸至所述襯底內。
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H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
