[發明專利]一種WB2

有效

• 申請號: 202010927314.1
• 申請日: 2020-09-07
• 公開（公告）號: CN111962022B
• 公開（公告）日: 2022-05-06
• 發明（設計）人: 劉艷明;田理;賈紅敏;王晨;雒設計;劉忠軍
• 申請（專利權）人: 西安石油大學
• 主分類號: C23C14/06
• 分類號: C23C14/06;C23C14/35
• 代理公司: 北京高沃律師事務所 11569
• 代理人: 劉奇

1.一種WB₂/WBC多層硬質涂層，包括與基體接觸的WB₂壓應力膜層和在所述WB₂壓應力膜層表面依次交替層疊的WB₂亞層和WBC亞層；與所述WB₂壓應力膜層相接觸的為WB₂亞層；所述WB₂/WBC多層硬質涂層的最外層為WBC亞層；

每層WB₂亞層中獨立地含有AlB₂型WB₂，或者含有WB₂(C)固溶體和AlB₂型WB₂；

每層WBC亞層中獨立地含有α-WBC、α-WC和α-C。

2.根據權利要求1所述的WB₂/WBC多層硬質涂層，其特征在于，每層WB₂亞層中C的含量獨立為0～20at.％；每層WBC亞層中C的含量獨立為30～85at.％。

3.根據權利要求1所述的WB₂/WBC多層硬質涂層，其特征在于，所述WB₂壓應力膜層的厚度為100～300nm。

4.根據權利要求1所述的WB₂/WBC多層硬質涂層，其特征在于，各所述WB₂亞層和各所述WBC亞層的厚度獨立為10～1000nm。

5.根據權利要求4所述的WB₂/WBC多層硬質涂層，其特征在于，所述WB₂/WBC多層硬質涂層的厚度為1.0～10μm。

6.權利要求1～5任一項所述WB₂/WBC多層硬質涂層的制備方法，包括以下步驟：

采用磁控濺射的方法在基體表面沉積WB₂壓應力膜層；

在所述WB₂壓應力膜層表面交替沉積WB₂亞層和WBC亞層；WB₂亞層與WB₂壓應力膜層相接觸；所述WB₂/WBC多層硬質涂層的最外層為WBC亞層，得到WB₂/WBC多層硬質涂層；

各沉積過程采用的靶材均為WB₂靶材。

7.根據權利要求6所述的制備方法，其特征在于，沉積所述WB₂壓應力膜層的條件包括：靶基距50～150mm，靶電流0.4～2.0A，工作氣體為Ar，Ar壓強為0.2～0.5Pa，基體脈沖偏壓為-150～-200V，占空比為20～60％，沉積溫度為100～500℃。

8.根據權利要求6所述的制備方法，其特征在于，沉積每層WBC亞層的條件包括：靶基距獨立為50～150mm，靶電流獨立為0.4～2.0A，工作氣體為Ar和C₂H₂，總工作壓強獨立為0.3～1.0Pa，C₂H₂分壓獨立為0.01～0.1Pa，基體脈沖偏壓獨立為0～-100V，占空比獨立為20～60％，沉積溫度獨立為100～500℃。