[發明專利]一種集成熱敏電阻的紅外熱電堆傳感器及制備方法

在審

• 申請號: 202010926717.4
• 申請日: 2020-09-07
• 公開（公告）號: CN112067145A
• 公開（公告）日: 2020-12-11
• 發明（設計）人: 竇云軒
• 申請（專利權）人: 中微龍圖電子科技無錫有限責任公司
• 主分類號: G01J5/12
• 分類號: G01J5/12;G01J5/20;H01L35/10;H01L35/32;H01L35/34
• 代理公司: 北京盛凡智榮知識產權代理有限公司 11616
• 代理人: 王勇

1.一種集成熱敏電阻的紅外熱電堆傳感器，其特征在于：包括由不少于一個熱電偶串聯組成的熱電堆區(7)以及集成在熱電堆區(7)上的熱敏電阻(8)，熱電偶包括支撐層(9)，所述支撐層(9)上設有復合薄膜，復合薄膜包括氮化硅層一(1)和氧化硅層一(2)，在復合薄膜上設有第一熱偶層(3)，所述第一熱偶層(3)上設有氧化硅層二(10)，所述氧化硅層二(10)上設有第二熱偶層(4)，所述第二熱偶層(4)上設有氮化硅層二(5)，所述支撐層(9)下端設有背腔(11)。

2.根據權利要求1所述的一種集成熱敏電阻的紅外熱電堆傳感器，其特征在于：所述氧化硅層二(10)上開有通孔(6)，所述第一熱偶層(3)和第二熱偶層(4)通過通孔(6)連接。

3.根據權利要求1所述的一種集成熱敏電阻的紅外熱電堆傳感器，其特征在于：所述第一熱偶層(3)為多晶硅層，所述第二熱偶層(4)為鉑層。

4.一種集成熱敏電阻的紅外熱電堆傳感器的制備方法，其特征在于：包括以下步驟：

步驟一：在支撐層上通過低溫化學氣相沉積工藝沉積由氮化硅層一和氧化硅層一組成的復合薄膜，厚度為1000nm-2000nm，并在背面刻蝕后，薄膜不破，做到有效的制程；

步驟二：在復合薄膜上低溫化學氣相沉積工藝沉積多晶硅層作為第一熱偶層，厚度為500nm；

步驟三：在第一熱偶層中注入硼或磷離子實現多晶硅的摻雜，并高溫退火；

步驟四：在第一熱偶層上常溫化學氣相沉積一層氧化硅層二作為絕緣層，且厚度為200nm；

步驟五：在氧化硅層二上通過蒸發或濺射一層鉑層作為第二熱偶層，并圖形化，在其他區域將熱敏電阻圖形同時實現，焊盤區域圖形也一并做出來；

步驟六：通過化學氣相沉淀工藝在第二熱偶層上沉淀一層氮化硅層二，并把焊盤區域打開；

步驟七：背面減薄，然后通過深硅刻蝕，把背腔刻蝕出來。