[發明專利]一種SiC@Ti（C,N）核殼結構陶瓷粉體的制備方法有效
| 申請號： | 202010925580.0 | 申請日： | 2020-09-04 |
| 公開（公告）號： | CN112142479B | 公開（公告）日： | 2022-07-29 |
| 發明（設計）人： | 李東旭;黃紹鋒;陸靜 | 申請（專利權）人： | 華僑大學 |
| 主分類號： | C04B35/626 | 分類號： | C04B35/626;C04B35/565 |
| 代理公司： | 廈門市首創君合專利事務所有限公司 35204 | 代理人： | 張松亭;姜謐 |
| 地址： | 362000 福建省*** | 國省代碼： | 福建;35 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 sic ti 結構 陶瓷 制備 方法 | ||
1.一種SiC@Ti（C,N）核殼結構陶瓷粉體的制備方法，其特征在于：包括如下步驟：
（1）將硫酸氧鈦溶于蒸餾水中，于水浴攪拌直至澄清，過濾除去不溶物后，獲得硫酸氧鈦水溶液；
（2）將SiC粉末、有機溶劑和蒸餾水混合，并超聲分散，獲得混合溶液，有機溶劑為乙二醇、異丙醇或正丙醇；
（3）在上述混合溶液中加入碳氮原料攪拌均勻，同時緩慢加入上述硫酸氧鈦水溶液，水浴攪拌至沉淀全部析出后，室溫靜置24-48h；上述碳氮原料為三聚氰胺和尿素，或尿素和三聚氰胺，或三聚氰胺、尿素和石墨相氮化碳；
（4）將步驟（3）所得的物料進行離心，除去上層清液，獲得沉淀，將該沉淀用蒸餾水和無水乙醇充分洗滌后，經干燥和研磨，獲得SiC@Ti（C,N）前驅體粉末；
（5）將上述SiC@Ti（C,N）前驅體粉末于氮氣氣氛下煅燒，再經高溫退火，即得所述SiC@Ti（C,N）核殼結構陶瓷粉體，該煅燒的溫度為600-800℃，時間為1-2h，該高溫退火的溫度為1200-1400℃。
2. 如權利要求1所述的制備方法，其特征在于：所述步驟（1）中，硫酸氧鈦和蒸餾水的比例為1.5-2.5g: 45-55mL。
3. 如權利要求2所述的制備方法，其特征在于：所述步驟（1）中，硫酸氧鈦和蒸餾水的比例為2g: 50mL。
4. 如權利要求1所述的制備方法，其特征在于：所述步驟（2）中，所述SiC粉末、有機溶劑和蒸餾水的比例為1.5-2.5g: 15-25mL: 90-110mL。
5. 如權利要求4所述的制備方法，其特征在于：所述步驟（2）中，所述SiC粉末、有機溶劑和蒸餾水的比例為2g: 20mL: 100mL。
6.如權利要求1所述的制備方法，其特征在于：所述SiC、碳氮原料和硫酸氧鈦的質量比為2:3-8:0.4-1。
7.如權利要求1所述的制備方法，其特征在于：所述硫酸氧鈦和蒸餾水的比例為2g:50mL，所述SiC粉末、有機溶劑和蒸餾水的比例為2g: 20mL: 100mL，所述SiC、碳氮原料和硫酸氧鈦的質量比為2:3-8:0.4-1。
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