[發明專利]圖形傳感器及其形成方法

在審

• 申請號: 202010924140.3
• 申請日: 2020-09-04
• 公開（公告）號: CN111863851A
• 公開（公告）日: 2020-10-30
• 發明（設計）人: 王林;胡萬景;黃金德
• 申請（專利權）人: 銳芯微電子股份有限公司
• 主分類號: H01L27/146
• 分類號: H01L27/146
• 代理公司: 北京集佳知識產權代理有限公司 11227
• 代理人: 徐文欣

1.一種圖形傳感器，其特征在于，包括：

基底，所述基底包括：相對的第一面和第二面，所述基底包括：若干相互分立的像素區、以及位于相鄰像素區之間的隔離區，所述基底的材料具有第一折射率；

位于所述隔離區內的第一隔離結構，所述第一隔離結構的材料具有第二折射率，且所述第二折射率小于第一折射率；

位于所述像素區內的第二隔離結構，所述第二隔離結構的材料具有第三折射率，且所述第三折射率小于所述第一折射率。

2.如權利要求1所述的圖形傳感器，其特征在于，所述第二隔離結構平行于基底表面方向的橫截面圖形為圓形或者正方形。

3.如權利要求2所述的圖形傳感器，其特征在于，所述圖形的中心位于所述像素區的中軸線上。

4.如權利要求1所述的圖形傳感器，其特征在于，沿平行于基底表面方向上，所述第二隔離結構的橫截面積與像素區的橫截面積的比例范圍為10％至50％。

5.如權利要求1所述的圖形傳感器，其特征在于，所述第二隔離結構的材料包括：氧化硅、氮化硅、氧化鉿、氧化鋯、氧化鉿硅、氧化鑭、氧化鋯硅、氧化鈦、氧化鉭、氧化鋇鍶鈦、氧化鋇鈦、氧化鍶鈦或氧化鋁。

6.如權利要求1所述的圖形傳感器，其特征在于，所述第一隔離結構的材料包括：氧化硅、氮化硅、氧化鉿、氧化鋯、氧化鉿硅、氧化鑭、氧化鋯硅、氧化鈦、氧化鉭、氧化鋇鍶鈦、氧化鋇鈦、氧化鍶鈦或氧化鋁。

7.如權利要求1所述的圖形傳感器，其特征在于，所述第一隔離結構的底部到第一面具有第一距離，所述第一隔離結構的底部到第一面具有第二距離，且所述第一距離大于第二距離；所述第二距離的范圍為1微米至2微米。

8.如權利要求1所述的圖形傳感器，其特征在于，還包括：位于所述像素區內的若干第三隔離結構，所述第三隔離結構的材料具有第四折射率，且所述第四折射率小于第一折射率。

9.如權利要求8所述的圖形傳感器，其特征在于，所述第三隔離結構包括：一個以上第一隔離部，所述第一隔離部平行于第一方向且沿第二方向排列；一個以上第二隔離部，所述第二隔離部平行于第二方向且沿第一方向排列。

10.如權利要求9所述的圖形傳感器，其特征在于，至少一個第一隔離部與所述第二隔離結構相連接；至少一個第二隔離部與所述第二隔離結構相連接。

11.如權利要求9所述的圖形傳感器，其特征在于，沿第二方向上，所述第一隔離部的側壁與第一隔離結構側壁相接觸；沿第一方向上，所述第二隔離部的側壁與所述第一隔離結構側壁相接觸。

12.如權利要求8所述的圖形傳感器，其特征在于，所述第三隔離結構的材料包括：氧化硅、氮化硅、氧化鉿、氧化鋯、氧化鉿硅、氧化鑭、氧化鋯硅、氧化鈦、氧化鉭、氧化鋇鍶鈦、氧化鋇鈦、氧化鍶鈦或氧化鋁。

13.如權利要求1所述的圖形傳感器，其特征在于，還包括：位于第一面上的抗反射層；位于各所述像素區上的抗反射層表面的濾光層；位于所述濾光層上的微透鏡。

14.一種圖形傳感器的形成方法，其特征在于，包括：

提供基底，所述基底包括：相對的第一面和第二面，所述基底包括：若干相互分立的像素區、以及位于相鄰像素區之間的隔離區，所述基底具有第一折射率；

在所述隔離區內形成第一隔離結構，所述第一隔離結構具有第二折射率，且所述第二折射率小于第一折射率；

在所述像素區內形成第二隔離結構，所述第二隔離結構的材料具有第三折射率，且所述第三折射率小于所述第一折射率。