[發明專利]與非門樹結構

在審

• 申請號: 202010923207.1
• 申請日: 2020-09-04
• 公開（公告）號: CN114217193A
• 公開（公告）日: 2022-03-22
• 發明（設計）人: 李相惇;張欣;楊紅;楊濤;李俊峰;王文武
• 申請（專利權）人: 中國科學院微電子研究所;真芯（北京）半導體有限責任公司
• 主分類號: G01R31/26
• 分類號: G01R31/26
• 代理公司: 北京辰權知識產權代理有限公司 11619
• 代理人: 劉廣達

本公開提供了一種與非門樹結構，與非門樹結構包括：多個與非門；其中，第一個與非門的第一輸入端連接第一輸入信號，第一個與非門的輸出端作為整個與非門樹結構的輸出，第一個與非門的第二輸入端連接第二個與非門的輸出端。本公開的優點在于，本公開為了實現無環形振蕩器的面積增加，因此，將輸入信號分為與非門樹測定用和環形振蕩器用兩種，兩種情況下，均采用包含在輸入輸出端子內部的與非門電路。兩種情況下的輸出結果都可以得到。因此，本公開不必擴大的產品的尺寸，利于半導體器件的小型化及成本抑制。

技術領域

本公開涉及半導體制造技術領域，具體涉及一種與非門樹結構及使用其的測試方法。

背景技術

在超微半導體工藝中，由于交流性能重要，往往需利用環形振蕩器電路進行測量和管理，因為超微工藝與半導體元件的直流參數值和交流性能并不相等。然而，為了測試交流性能，有時需要在產品內為測量電路留出剩余空間，同時要有剩余的焊盤。因此，這樣就擴大的產品的尺寸，不利于半導體器件的小型化及成本抑制。

發明內容

本公開的目的是針對上述現有技術的不足提出的一種與非門樹結構，該目的是通過以下技術方案實現的。

本公開的第一方面提出了一種與非門樹結構，包括：

多個與非門；其中，

第一個與非門的第一輸入端連接第一輸入信號，第一個與非門的輸出端作為整個與非門樹結構的輸出，第一個與非門的第二輸入端連接第二個與非門的輸出端。

本公開的第二方面提出了一種與非門樹結構，包括：

多個與非門；

第一個與非門的第一輸入端連接第一輸入信號，第一個與非門的輸出端作為整個與非門樹結構的輸出，第一個與非門的第二輸入端連接第一個延遲單元的輸出端，該延遲單元的輸入端連接第二個與非門的輸出端。

本公開的第三方面提出了一種半導體器件組，其包括根據第一方面或第二方面所述的與非門樹結構。

本公開的優點在于，本公開為了實現無環形振蕩器的面積增加，因此，將輸入信號分為NAND樹測定用和環形振蕩器用兩種，兩種情況下，均采用包含在輸入輸出端子內部的NAND電路。兩種情況下的輸出結果都可以得到。因此，本公開不必擴大的產品的尺寸，利于半導體器件的小型化及成本抑制。

附圖說明

此處所說明的附圖用來提供對本公開的進一步理解，構成本公開的一部分，本公開的示意性實施例及其說明用于解釋本公開，并不構成對本公開的不當限定。在附圖中：

圖1為本公開第一種實施方式中驗證輸入信號端連接狀態的與非門樹結構示意圖；

圖2為在測量過程中顯示輸入信號帶來的輸出變化示意圖；

圖3為本公開第二種實施方式中采用標準的與非門樹結構產品內部的邏輯回路示意圖；

圖4為本公開第二種實施方式中所采用的延遲單元結構放大示意圖圖；

圖5為NAND樹驗證情況示意圖。

具體實施方式

以下，將參照附圖來描述本公開的實施例。但是應該理解，這些描述只是示例性的，而并非要限制本公開的范圍。此外，在以下說明中，省略了對公知結構和技術的描述，以避免不必要地混淆本公開的概念。

在附圖中示出了根據本公開實施例的各種結構示意圖。這些圖并非是按比例繪制的，其中為了清楚表達的目的，放大了某些細節，并且可能省略了某些細節。圖中所示出的各種區域、層的形狀以及它們之間的相對大小、位置關系僅是示例性的，實際中可能由于制造公差或技術限制而有所偏差，并且本領域技術人員根據實際所需可以另外設計具有不同形狀、大小、相對位置的區域/層。