[發明專利]半導體機臺改造方法以及半導體機臺在審
| 申請號： | 202010922802.3 | 申請日： | 2020-09-04 |
| 公開（公告）號： | CN112018020A | 公開（公告）日： | 2020-12-01 |
| 發明（設計）人： | 陳幫;黃宇恒 | 申請（專利權）人： | 武漢新芯集成電路制造有限公司 |
| 主分類號： | H01L21/683 | 分類號： | H01L21/683;H01L21/687;G03F7/20 |
| 代理公司： | 上海思微知識產權代理事務所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 曹廷廷 |
| 地址： | 430205 湖北*** | 國省代碼： | 湖北;42 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 半導體 機臺 改造 方法 以及 | ||
1.一種半導體機臺改造方法，其特征在于，包括：
提供一半導體機臺，所述半導體機臺具有可上下移動的吸盤以及若干個固定設置的頂針，所述吸盤上具有若干個可供所述頂針穿過的頂針孔，所述吸盤用于承載晶圓；
所述半導體機臺還具有焦平面，所述晶圓的上表面能夠到達所述焦平面，保持所述吸盤的運動行程不變，當待承載的晶圓的厚度大于或等于原始厚度，所述吸盤的厚度減小△H1為：
△H1≤W+H3*-H3
其中，H3為晶圓的原始厚度，H3*為待承載的晶圓的厚度，W為所述吸盤的運動行程，吸盤的原始厚度為11.7mm。
2.如權利要求1所述的半導體機臺改造方法，其特征在于，所述頂針的高度減小△H2為：
△H1-h1+W△H2W+Wmax-h1
其中，Wmax為所述吸盤的最大運動行程，h1為原始頂針與原始厚度的晶圓的下表面的距離。
3.如權利要求1所述的半導體機臺改造方法，其特征在于，所述半導體機臺的所述吸盤的運動行程W為300μm，則所述吸盤的厚度減小△H1為0～300μm。
4.如權利要求2所述的半導體機臺改造方法，其特征在于，所述頂針的高度減小△H2為250μm～450μm。
5.如權利要求1所述的半導體機臺改造方法，其特征在于，所述半導體機臺設置有運載所述待承載的晶圓的機械手臂。
6.如權利要求1所述的半導體機臺改造方法，其特征在于，所述半導體機臺設置有提供吸盤真空吸力的真空泵。
7.如權利要求1所述的半導體機臺改造方法，其特征在于，所述半導體機臺設置有軟件控制程序。
8.如權利要求1所述的半導體機臺改造方法，其特征在于，所述頂針的一部分一直位于所述吸盤中。
9.一種半導體機臺，其特征在于，采用權利要求1～8中任一項所述的半導體機臺改造方法進行改造。
10.如權利要求9所述的半導體機臺，其特征在于，所述半導體機臺為光刻機。
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H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
