[發(fā)明專利]一種MEMS結構在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 202010922526.0 | 申請日： | 2020-09-04 |
| 公開（公告）號： | CN111901736A | 公開（公告）日： | 2020-11-06 |
| 發(fā)明（設計）人： | 李冠華;劉端 | 申請（專利權）人： | 安徽奧飛聲學科技有限公司 |
| 主分類號： | H04R19/01 | 分類號： | H04R19/01 |
| 代理公司： | 暫無信息 | 代理人： | 暫無信息 |
| 地址： | 230092 安徽省合肥市高新區(qū)習友路333*** | 國省代碼： | 安徽;34 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 mems 結構 | ||
1.一種MEMS結構，其特征在于，包括：
襯底，具有空腔；
第一電極層，懸置于所述空腔內；
壓電層的第一部分，形成于所述第一電極層上方，并且與所述襯底連接；
第二電極層，形成于所述第一部分上方；
所述壓電層的第二部分，形成于所述第二電極層上方；
第三電極層，形成于所述第二部分上方；
其中，所述第一電極層和所述第一部分以所述第二電極層為中性面與所述第二部分和所述第三電極層對稱。
2.根據(jù)權利要求1所述的MEMS結構，其特征在于，所述第一電極層的頂面位于所述襯底的頂面下方，所述第二電極層的底面位于所述襯底的頂面的上方。
3.根據(jù)權利要求1所述的MEMS結構，其特征在于，所述第一電極層的豎直方向投影區(qū)域位于所述空腔內。
4.根據(jù)權利要求1所述的MEMS結構，其特征在于，所述第二部分形成于所述第二電極層和所述第一部分上方。
5.根據(jù)權利要求1所述的MEMS結構，其特征在于，所述第二部分的外圍區(qū)域的頂面低于所述第二部分的中間區(qū)域的頂面，所述第二部分的外圍區(qū)域與所述襯底連接，所述第三電極層形成于所述第二部分的中間區(qū)域的上方。
6.根據(jù)權利要求1所述的MEMS結構，其特征在于，所述第一電極層、所述第二電極層和所述第三電極層具有相對應的至少兩個等分區(qū)。
7.根據(jù)權利要求6所述的MEMS結構，其特征在于，所述第一電極層、所述第二電極層和所述第三電極層具有相對應的12個等分區(qū)。
8.根據(jù)權利要求7所述的MEMS結構，其特征在于，
在第一等分區(qū)內，所述第二電極層通過第一導線引出作為所述MEMS結構的一個端子；
在所述第一等分區(qū)內的所述第一電極層和所述第三電極層連接后與第二等分區(qū)內的所述第二電極層相連，所述第一等分區(qū)與所述第二等分區(qū)相鄰，依此重復連接多個相鄰等分區(qū)；
在第十二等分區(qū)內的所述第一電極層和所述第三電極層連接后作為所述MEMS結構的另一個端子。
9.根據(jù)權利要求1所述的MEMS結構，其特征在于，所述MEMS結構還包括隔離層，所述隔離層形成于所述第二電極層的上下表面的位置處，或者所述隔離層形成于所述第一電極層的上表面和所述第三電極層的下表面的位置處。
10.根據(jù)權利要求1所述的MEMS結構，其特征在于，所述MEMS結構包括壓電式MEMS麥克風。
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