[發明專利]一種在Recovery模式下進行壓力測試的方法、裝置和終端設備

在審

• 申請號: 202010922055.3
• 申請日: 2020-09-04
• 公開（公告）號: CN112069009A
• 公開（公告）日: 2020-12-11
• 發明（設計）人: 楊琦;史繼前
• 申請（專利權）人: 廣東小天才科技有限公司
• 主分類號: G06F11/22
• 分類號: G06F11/22;G06F11/24
• 代理公司: 上海碩力知識產權代理事務所(普通合伙) 31251
• 代理人: 郭桂峰

本發明屬于終端設備領域，本發明提供一種在Recovery模式下進行壓力測試的方法、裝置和終端設備，包括步驟：在緩存分區寫入待執行的命令和測試參數，并重啟到Recovery模式；通過Recovery模式下的Recovery進程解析所述命令和測試參數；基于解析后的所述命令和所述測試參數，進行壓力測試；其中，所述壓力測試的對象包括DDR和flash。本發明解決了在Android系統在OTA升級之后系統出現異常，最后歸結于DDR/flash硬件問題時，傳統壓力測試方法無法確認存在問題是硬件到底是DDR還是flash的問題。本發明通過模擬OTA升級時的環境和相關操作，能有效地復現出OTA升級過程中存在的異常現象，從而快速而精準地定位問題所在。

技術領域

本發明涉及終端設備領域，尤指一種在Recovery模式下進行壓力測試的方法、裝置和終端設備。

背景技術

針對Android系統OTA升級之后，出現系統不穩定，如系統無響應，死機等現象，這些現象很多時候會歸結為DDR和flash不穩定造成，如何排查到底是DDR還是flash存在不穩定一直是一個比較難且急需解決的問題。

一般僅對DDR和flash做單獨的壓力測試，以測試出最終的問題硬件，且目前的DDR或flash壓力測試都是在Android系統的正常工作模式下進行，很多時候很難測試出問題所在。

發明內容

本發明提供一種在Recovery模式下進行壓力測試的方法、裝置和終端設備，可以通過在Recovery模式下進行壓力測試，準確定位到存在問題的硬件，避免了Android系統再次不穩定。

本發明提供的技術方案如下：

一方面，本發明提供一種在Recovery模式下進行壓力測試的方法，其特征在于，包括以下步驟：

在緩存分區寫入待執行的命令和測試參數，并重啟到Recovery模式；

通過Recovery模式下的Recovery進程解析所述命令和測試參數；

基于解析后的所述命令和所述測試參數，進行壓力測試；

其中，所述壓力測試的對象包括DDR和flash。

進一步優選地，所述基于解析后的所述命令和所述測試參數進行壓力測試，包括步驟：

基于解析后的所述命令進行DDR壓力測試；

當所述DDR通過所述DDR壓力測試時，則進行flash壓力測試；

當所述DDR未通過所述DDR壓力測試時，則停止所述壓力測試。

進一步優選地，所述基于解析后的所述命令進行DDR壓力測試，具體包括步驟：

獲取并鎖住堆內存，以建立DDR的臨時存儲地址；

讀取DDR分區中所述DDR的分區數據，并將所述DDR的分區數據復制入所述DDR的臨時存儲地址；

比較所述DDR分區中所述DDR的分區數據與所述DDR的臨時存儲地址中所述DDR的分區數據。

進一步優選地，在所述基于解析后的所述命令進行DDR壓力測試之后，還包括：

判斷所述DDR是否通過所述DDR壓力測試，具體包括：

當所述DDR分區中所述DDR的分區數據與所述DDR的臨時存儲地址中所述DDR的分區數據一致時，所述DDR通過所述DDR壓力測試；

當所述DDR分區中所述DDR的分區數據與所述DDR的臨時存儲地址中所述DDR的分區數據不一致時，所述DDR未通過所述DDR壓力測試。