[發明專利]液晶聚合物薄膜的熱處理方法及改性液晶聚合物薄膜

有效

• 申請號: 202010921938.2
• 申請日: 2020-09-04
• 公開（公告）號: CN112159545B
• 公開（公告）日: 2021-12-21
• 發明（設計）人: 吳高高;王和志;霍雷;潘瑞
• 申請（專利權）人: 瑞聲新能源發展（常州）有限公司科教城分公司;瑞聲精密制造科技（常州）有限公司
• 主分類號: C08J7/00
• 分類號: C08J7/00;C08J5/18;C08L101/12
• 代理公司: 深圳國新南方知識產權代理有限公司 44374
• 代理人: 周純

1.一種液晶聚合物薄膜的熱處理方法，其特征在于，包括：

在空氣氣氛、惰性氣體氣氛或真空氣氛中，依次對液晶聚合物薄膜進行第一熱處理和第二熱處理，以對所述液晶聚合物薄膜進行改性；

其中，所述第一熱處理在第一預設溫度范圍下進行，所述第一預設溫度范圍為所述液晶聚合物薄膜的熔點溫度之下15℃至所述液晶聚合物薄膜的熔點溫度之上15℃；所述第二熱處理的溫度低于所述第一熱處理的溫度，所述第一熱處理的時間為0.5分鐘～15分鐘，所述第二熱處理的時間為1.5小時～5小時；

所述第一熱處理包括多個依次進行的第一熱處理階段，前一個第一熱處理階段的溫度大于后一個第一熱處理階段的溫度，從前一個第一熱處理階段的溫度降溫至后一個第一熱處理階段的溫度的降溫速率為0.5～5℃/分鐘，多個第一熱處理階段的總時間為0.5分鐘～15分鐘。

2.根據權利要求1所述的液晶聚合物薄膜的熱處理方法，其特征在于，所述第一熱處理具體包括如下步驟：

在空氣氣氛、惰性氣體氣氛或真空氣氛中，于第一溫度下對所述液晶聚合物薄膜進行熱處理，其中，所述第一溫度為所述液晶聚合物薄膜的熔點溫度至所述液晶聚合物薄膜的熔點溫度之上15℃；

以0.5～5℃/分鐘的降溫速率從第一溫度降溫至第二溫度；

于第二溫度下對所述液晶聚合物薄膜進行熱處理，其中，所述第二溫度為所述第一溫度之下10℃至所述第一溫度之下5℃；

以0.5～5℃/分鐘的降溫速率從第二溫度降溫至第三溫度；

于第二溫度下對所述液晶聚合物薄膜進行熱處理，其中，所述第三溫度為所述第二溫度之下10℃至所述第二溫度之下5℃。

3.根據權利要求2所述的液晶聚合物薄膜的熱處理方法，其特征在于，所述第一溫度為所述液晶聚合物薄膜的熔點溫度之上2℃至所述液晶聚合物薄膜的熔點溫度之上7℃。

4.根據權利要求1至3任一項所述的液晶聚合物薄膜的熱處理方法，其特征在于，所述第二熱處理包括多個第二熱處理階段，前一個第二熱處理階段的溫度大于后一個第二熱處理階段的溫度，從前一個第二熱處理階段的溫度降溫至后一個第二熱處理階段的溫度的降溫速率為0.5～5℃/分鐘，多個第二熱處理階段的總時間為1.5小時～5小時。

5.根據權利要求4所述的液晶聚合物薄膜的熱處理方法，其特征在于，所述第二熱處理階段包括四個或五個第二熱處理階段，前一個第二熱處理階段的溫度與后一個第二熱處理階段的溫度的差值為5℃～20℃。

6.根據權利要求1所述的液晶聚合物薄膜的熱處理方法，其特征在于，所述第一熱處理的時間為1分鐘～5分鐘，和/或所述第二熱處理的時間為3小時～3.5小時。

7.根據權利要求1所述的液晶聚合物薄膜的熱處理方法，其特征在于，所述液晶聚合物薄膜由液晶聚合物材料通過T模延伸法、層壓體延伸法或吹塑法制備而成，所述液晶聚合物薄膜的厚度為20μm～200μm。

8.一種改性液晶聚合物薄膜，其特征在于，所述改性液晶聚合物薄膜采用權利要求1至7任一項所述的液晶聚合物薄膜的熱處理方法制備而成。