[發明專利]一種3D NAND存儲器件及其制造方法

在審

• 申請號: 202010921381.2
• 申請日: 2020-09-04
• 公開（公告）號: CN112018129A
• 公開（公告）日: 2020-12-01
• 發明（設計）人: 周文華;邵克堅
• 申請（專利權）人: 長江存儲科技有限責任公司
• 主分類號: H01L27/1157
• 分類號: H01L27/1157;H01L27/11582
• 代理公司: 北京集佳知識產權代理有限公司 11227
• 代理人: 柳虹

1.一種3D NAND存儲器件的制造方法，其特征在于，包括：

提供襯底；所述襯底上形成有絕緣層和柵極層交替層疊的堆疊層，所述堆疊層的側壁為臺階結構；所述臺階結構上依次形成有第一介質層和第二介質層，所述第一介質層的上表面沿著所述臺階結構，所述第二介質層的上表面沿襯底平面方向；

以所述第一介質層為刻蝕停止層，在臺階結構處對所述第二介質層進行刻蝕，以形成臺階接觸開口；

對所述臺階接觸開口底部的第一介質層進行刻蝕，以形成貫穿至所述臺階結構的臺階接觸孔。

2.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，所述第一介質層為氮化硅，所述第二介質層為氧化硅。

3.根據權利要求2所述的方法，其特征在于，所述第二介質層為基于TEOS的氧化硅。

4.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，還包括所述臺階結構和所述第一介質層之間的第三介質層，所述對所述臺階接觸開口底部的第一介質層進行刻蝕，以形成貫穿至所述臺階結構的臺階接觸孔，包括：

以所述第三介質層為刻蝕停止層，對所述臺階接觸開口底部的第一介質層進行刻蝕，以加深所述臺階接觸開口；

以所述柵極層為刻蝕停止層，對所述第三介質層，或所述第三介質層和所述絕緣層，進行刻蝕，以形成貫穿至所述臺階結構的臺階接觸孔。

5.根據權利要求4所述的方法，其特征在于，所述第三介質層為高密度等離子體氧化硅或原子層沉積氧化硅。

6.根據權利要求1-5任一項所述的方法，其特征在于，在形成所述臺階接觸孔之后，還包括：

在所述臺階接觸孔中形成臺階接觸部。

7.一種3D NAND存儲器件，其特征在于，包括：

襯底；

所述襯底上的絕緣層和柵極層交替層疊的堆疊層，所述堆疊層的側壁為臺階結構；所述臺階結構上依次形成有第一介質層和第二介質層，以及貫穿所述第一介質層和所述第二介質層的臺階接觸部，所述第一介質層的上表面沿著所述臺階結構，所述第二介質層的上表面沿襯底平面方向。

8.根據權利要求7所述的存儲器件，其特征在于，所述第一介質層為氮化硅，所述第二介質層為氧化硅。

9.根據權利要求7所述的存儲器件，其特征在于，還包括所述臺階結構和所述第一介質層之間的第三介質層，所述臺階接觸部貫穿所述第三介質層。

10.根據權利要求9所述的存儲器件，其特征在于，所述第三介質層為高密度等離子體氧化硅或原子層沉積氧化硅。