[發(fā)明專利]用于并聯(lián)的開關(guān)晶體管的米勒鉗位裝置及包括其的驅(qū)動器在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 202010921177.0 | 申請日： | 2020-09-04 |
| 公開（公告）號： | CN112003595A | 公開（公告）日： | 2020-11-27 |
| 發(fā)明（設(shè)計）人： | 金東鑫;歐陽華奮;曹磊;李化良;鄭大為 | 申請（專利權(quán)）人： | 山特電子（深圳）有限公司 |
| 主分類號： | H03K17/16 | 分類號： | H03K17/16;H03K17/06 |
| 代理公司： | 北京泛華偉業(yè)知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11280 | 代理人： | 王勇;王博 |
| 地址： | 518101 廣東*** | 國省代碼： | 廣東;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 用于 并聯(lián) 開關(guān) 晶體管 米勒 裝置 包括 驅(qū)動器 | ||
1.一種用于并聯(lián)的開關(guān)晶體管的米勒鉗位裝置，其特征在于，所述米勒鉗位裝置包括：
驅(qū)動器芯片，其包括輸出端子和具有米勒鉗位端子的內(nèi)置米勒鉗位電路，所述驅(qū)動器芯片的輸出端子用于輸出脈寬調(diào)制信號；以及
多個輔助米勒鉗位電路，每一個所述輔助米勒鉗位電路連接在相對應(yīng)的開關(guān)晶體管的門極和所述內(nèi)置米勒鉗位電路的米勒鉗位端子之間；
其中，當(dāng)所述內(nèi)置米勒鉗位電路被觸發(fā)用于米勒鉗位時，以使得所述相對應(yīng)的開關(guān)晶體管產(chǎn)生的米勒電流通過相對應(yīng)的輔助米勒鉗位電路流向第一直流電壓。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的米勒鉗位裝置，其特征在于，每一個所述輔助米勒鉗位電路包括：
可控晶體管，其包括控制極、第一電極和第二電極，所述可控晶體管的控制極連接至所述內(nèi)置米勒鉗位電路的米勒鉗位端子，且所述第二電極連接至所述第一直流電壓；
第一二極管，其正極連接至所述相對應(yīng)的開關(guān)晶體管的門極，其負(fù)極連接至第二直流電壓；以及
第二二極管，其正極連接至所述第一二極管的正極，其負(fù)極連接至所述可控晶體管的第一電極；
其中，所述第二直流電壓大于所述第一直流電壓，所述內(nèi)置米勒鉗位電路被觸發(fā)用于米勒鉗位時，以使得所述可控晶體管的第一電極和第二電極之間導(dǎo)通。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的米勒鉗位裝置，其特征在于，
所述內(nèi)置米勒鉗位電路為吸取米勒電流的電流源，所述可控晶體管為第一PNP型三極管或P型金氧半場效應(yīng)晶體管；
所述第一PNP型三極管的基極或所述P型金氧半場效應(yīng)晶體管的門極連接至所述內(nèi)置米勒鉗位電路的米勒鉗位端子，所述第一PNP型三極管的發(fā)射極或所述P型金氧半場效應(yīng)晶體管的源極連接至所述相對應(yīng)的開關(guān)晶體管的門極，所述第一PNP型三極管的集電極或所述P型金氧半場效應(yīng)晶體管的漏極連接至所述第一直流電壓；
每一個所述輔助米勒鉗位電路還包括連接在所述米勒鉗位端子與所述第一PNP型三極管的發(fā)射極或所述P型金氧半場效應(yīng)晶體管的源極之間的第一電阻。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的米勒鉗位裝置，其特征在于，每一個所述米勒鉗位鉗位電路還包括連接在所述米勒鉗位端子和所述第一PNP型三極管的基極或所述P型金氧半場效應(yīng)晶體管的門極之間的第二電阻。
5.根據(jù)權(quán)利要求3所述的米勒鉗位裝置，其特征在于，每一個所述輔助米勒鉗位電路還包括連接在所述第一PNP型三極管的基極和發(fā)射極之間或連接在所述P型金氧半場效應(yīng)晶體管的門極和源極之間的第一電容。
6.根據(jù)權(quán)利要求3所述的米勒鉗位裝置，其特征在于，所述驅(qū)動器還包括連接在所述驅(qū)動器芯片的輸出端子和米勒鉗位端子之間的脈寬調(diào)制信號鎖定裝置，其用于對所述米勒鉗位端子的電位進行鎖定。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的米勒鉗位裝置，其特征在于，所述脈寬調(diào)制信號鎖定裝置包括串聯(lián)的第三二極管和第三電阻。
8.根據(jù)權(quán)利要求2所述的米勒鉗位裝置，其特征在于，
所述內(nèi)置米勒鉗位電路為輸出米勒使能信號的電壓源；
所述可控晶體管為第一NPN型三極管或N型金氧半場效應(yīng)晶體管，所述第一NPN型三極管的基極或所述N型金氧半場效應(yīng)晶體管的門極連接至所述內(nèi)置米勒鉗位電路的米勒鉗位端子，所述第一NPN型三極管的集電極或所述N型金氧半場效應(yīng)晶體管的漏極連接至所述相對應(yīng)的開關(guān)晶體管的門極，所述第一NPN型三極管的發(fā)射極或所述N型金氧半場效應(yīng)晶體管的源極連接至所述第一直流電壓。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的米勒鉗位裝置，其特征在于，每一個所述輔助米勒鉗位電路還包括連接在所述米勒鉗位端子與所述NPN三極管的基極或所述N型金氧半場效應(yīng)晶體管的門極之間的第四電阻。
10.根據(jù)權(quán)利要求8所述的米勒鉗位裝置，其特征在于，每一個所述輔助米勒鉗位電路還包括連接在所述第一NPN型三極管的基極和集電極之間或所述N型金氧半場效應(yīng)晶體管的門極和漏極之間的第二電容。
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