[發(fā)明專利]半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)及其制備方法

在審

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• 申請日: 2020-09-04
• 公開（公告）號: CN114141697A
• 公開（公告）日: 2022-03-04
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 尹佳山;周祖源;吳政達(dá);林正忠
• 申請（專利權(quán)）人: 盛合晶微半導(dǎo)體（江陰）有限公司
• 主分類號: H01L21/768
• 分類號: H01L21/768;H01L23/528
• 代理公司: 上海光華專利事務(wù)所(普通合伙) 31219
• 代理人: 余明偉

1.一種半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的制備方法，其特征在于，包括以下步驟：

提供支撐基底，于所述支撐基底上形成分離層；

于所述分離層上形成介質(zhì)層；

于所述介質(zhì)層上形成Ti金屬種子層；

于所述Ti金屬種子層上形成Cu金屬種子層；

于所述Cu金屬種子層上形成光阻層，并圖形化所述光阻層；

形成與所述Cu金屬種子層相接觸的金屬層；

去除所述光阻層，以顯露所述Cu金屬種子層；

去除所述Cu金屬種子層，以顯露所述Ti金屬種子層；

采用第一濕法刻蝕，去除所述Ti金屬種子層，以顯露所述介質(zhì)層；

對所述介質(zhì)層進(jìn)行第一預(yù)處理，在所述介質(zhì)層中形成第一凹槽，以顯露位于所述介質(zhì)層中的殘留Ti金屬種子層；

采用第二濕法刻蝕，去除所述殘留Ti金屬種子層；

對所述介質(zhì)層進(jìn)行第二預(yù)處理，形成深度大于所述殘留Ti金屬種子層的深度的第二凹槽。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的制備方法，其特征在于：所述第一預(yù)處理包括采用O₂、CF₄、Ar中的一種對所述介質(zhì)層所進(jìn)行的等離子體處理；所述第二預(yù)處理包括采用O₂、CF₄、Ar中的一種對所述介質(zhì)層所進(jìn)行的等離子體處理。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的制備方法，其特征在于：所述第一凹槽的深度范圍包括0.2μm～0.4μm；所述第二凹槽的深度范圍包括0.3μm～1.2μm。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的制備方法，其特征在于：所述第一濕法刻蝕去除顯露的所述Ti金屬種子層的溫度范圍包括30℃～50℃，處理時(shí)間包括120s～150s；所述第二濕法刻蝕去除所述殘留Ti金屬種子層的溫度范圍包括30℃～50℃，處理時(shí)間包括40s～80s。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的制備方法，其特征在于：所述介質(zhì)層的材質(zhì)包括PI、環(huán)氧樹脂、硅膠、PBO、BCB、氧化硅、磷硅玻璃及含氟玻璃中的一種。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的制備方法，其特征在于：形成所述Ti金屬種子層的方法包括濺射法及化學(xué)鍍中的一種；形成所述Cu金屬種子層的方法包括濺射法、化學(xué)鍍及電鍍中的一種；形成所述金屬層的方法包括濺射法、化學(xué)鍍及電鍍中的一種。

7.一種半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)包括：

支撐基底；

分離層，所述分離層位于所述支撐基底上；

介質(zhì)層，所述介質(zhì)層位于所述分離層上，且所述介質(zhì)層中具有相連通的第一凹槽以及第二凹槽；

Ti金屬種子層，所述Ti金屬種子層位于所述介質(zhì)層上，其中，與所述Ti金屬種子層相接觸的所述介質(zhì)層中具有殘留Ti金屬種子層，所述第二凹槽的深度大于所述殘留Ti金屬種子層的深度；

Cu金屬種子層，所述Cu金屬種子層位于所述Ti金屬種子層上

金屬層，所述金屬層位于所述Cu金屬種子層上。

8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，其特征在于：所述第一凹槽的深度范圍包括0.2μm～0.4μm；所述第二凹槽的深度范圍包括0.3μm～1.2μm。

9.根據(jù)權(quán)利要求7所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，其特征在于：所述第一凹槽的深度等于所述殘留Ti金屬種子層的深度或所述第一凹槽的深度小于所述殘留Ti金屬種子層的深度。

10.根據(jù)權(quán)利要求7所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，其特征在于：所述介質(zhì)層包括PI層、環(huán)氧樹脂層、硅膠層、PBO層、BCB層、氧化硅層、磷硅玻璃層及含氟玻璃層中的一種。