[發(fā)明專利]晶片預(yù)對(duì)準(zhǔn)器及預(yù)對(duì)準(zhǔn)晶片的方法

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• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 202010920362.8
• 申請(qǐng)日: 2020-09-04
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN112466802A
• 公開(kāi)（公告）日: 2021-03-09
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 約翰·查爾斯·羅杰斯;瑪格麗特·凱瑟琳·斯威奇基
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 株式會(huì)社安川電機(jī);安川美國(guó)有限公司
• 主分類號(hào): H01L21/68
• 分類號(hào): H01L21/68;H01L21/67
• 代理公司: 北京東方億思知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限責(zé)任公司 11258
• 代理人: 李麗

1.一種用于使晶片預(yù)對(duì)準(zhǔn)的預(yù)對(duì)準(zhǔn)器，所述晶片在其外圍邊緣上具有刻痕，所述預(yù)對(duì)準(zhǔn)器包括：

旋轉(zhuǎn)單元，包括：

晶片平臺(tái)，其具有被配置為接收所述晶片的晶片接收表面；和

驅(qū)動(dòng)設(shè)備，其被配置為使所述晶片平臺(tái)繞軸線旋轉(zhuǎn)；

檢測(cè)器，其被配置為在所述晶片接收表面接收到所述晶片時(shí)檢測(cè)所述晶片上的所述刻痕；

存儲(chǔ)器，其被配置為存儲(chǔ)刻痕窗口，該刻痕窗口限定相對(duì)于所述晶片接收表面最初接收所述晶片的起始位置的角度的范圍，其中所述刻痕被預(yù)測(cè)位于所述角度的范圍內(nèi)，所述起始位置與所述檢測(cè)器的感測(cè)區(qū)域相對(duì)應(yīng)；以及

控制器，其被編程為執(zhí)行預(yù)對(duì)準(zhǔn)操作，在所述預(yù)對(duì)準(zhǔn)操作中將所述晶片從所述起始位置旋轉(zhuǎn)到預(yù)定對(duì)準(zhǔn)位置，

其中，所述控制器被編程為執(zhí)行所述預(yù)對(duì)準(zhǔn)操作，以使得以最大加速度/減速度值將所述晶片從所述起始位置旋轉(zhuǎn)到由所述檢測(cè)器檢測(cè)到的刻痕位置：

其中，所述預(yù)對(duì)準(zhǔn)操作被限制到用于將所述晶片從所述起始位置旋轉(zhuǎn)到所述刻痕窗口的最大速度；并且

其中，所述預(yù)對(duì)準(zhǔn)操作被限制到用于在所述刻痕窗口內(nèi)在所述檢測(cè)器檢測(cè)到所述刻痕位置之前旋轉(zhuǎn)所述晶片的掃描速度，所述掃描速度小于所述最大速度。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的預(yù)對(duì)準(zhǔn)器，其中，所述控制器被編程為還執(zhí)行所述預(yù)對(duì)準(zhǔn)操作，以使得以所述最大加速度/減速度值將所述晶片從由所述檢測(cè)器檢測(cè)到的所述刻痕位置旋轉(zhuǎn)到所述預(yù)定對(duì)準(zhǔn)位置，其中，所述預(yù)對(duì)準(zhǔn)操作被限制到用于將所述晶片從由所述檢測(cè)器檢測(cè)到的所述刻痕位置旋轉(zhuǎn)到所述預(yù)定對(duì)準(zhǔn)位置的所述最大速度。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的預(yù)對(duì)準(zhǔn)器，其中，所述控制器被編程為最小化從所述起始位置移動(dòng)到由所述檢測(cè)器檢測(cè)到的所述刻痕位置的時(shí)間段。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的預(yù)對(duì)準(zhǔn)器，其中，所述控制器被編程為最小化從所述起始位置移動(dòng)到所述預(yù)定對(duì)準(zhǔn)位置的時(shí)間段。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的預(yù)對(duì)準(zhǔn)器，其中，所述控制器被編程為使用最小二乘近似來(lái)確定在所述預(yù)定對(duì)準(zhǔn)位置處的所述晶片的中心與具有所述晶片接收表面的所述晶片平臺(tái)的旋轉(zhuǎn)中心之間的偏心率。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的預(yù)對(duì)準(zhǔn)器，還包括被配置為存儲(chǔ)所述刻痕窗口的非易失性存儲(chǔ)器。

7.一種方法，包括：

提供晶片平臺(tái)，該晶片平臺(tái)具有被配置為接收晶片的晶片接收表面，所述晶片在其外圍邊緣上具有刻痕；

提供檢測(cè)器，該檢測(cè)器被配置為在所述晶片接收表面接收到所述晶片時(shí)掃描所述晶片的所述外圍邊緣以檢測(cè)所述晶片的所述刻痕；

設(shè)置刻痕窗口，該刻痕窗口限定相對(duì)于所述晶片接收表面最初接收所述晶片的起始位置的角度的范圍，其中所述刻痕被預(yù)測(cè)位于所述角度的范圍內(nèi)，所述起始位置與所述檢測(cè)器的感測(cè)區(qū)域相對(duì)應(yīng)；并且

執(zhí)行預(yù)對(duì)準(zhǔn)操作，在所述預(yù)對(duì)準(zhǔn)操作中將所述晶片從所述起始位置旋轉(zhuǎn)到預(yù)定對(duì)準(zhǔn)位置，

其中，執(zhí)行所述預(yù)對(duì)準(zhǔn)操作，以使得以最大加速度/減速度值將所述晶片從所述起始位置旋轉(zhuǎn)到由所述檢測(cè)器檢測(cè)到的刻痕位置：

其中，所述預(yù)對(duì)準(zhǔn)操作被限制到用于將所述晶片從所述起始位置旋轉(zhuǎn)到所述刻痕窗口的最大速度；并且

其中，所述預(yù)對(duì)準(zhǔn)操作被限制到用于在所述刻痕窗口內(nèi)在所述檢測(cè)器檢測(cè)到所述刻痕位置之前旋轉(zhuǎn)所述晶片的掃描速度，所述掃描速度小于所述最大速度。

8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的方法，其中，還執(zhí)行所述預(yù)對(duì)準(zhǔn)操作，以使得以所述最大加速度/減速度值將所述晶片從由所述檢測(cè)器檢測(cè)到的所述刻痕位置旋轉(zhuǎn)到所述預(yù)定對(duì)準(zhǔn)位置，其中，所述預(yù)對(duì)準(zhǔn)操作被限制到用于將所述晶片從由所述檢測(cè)器檢測(cè)到的所述刻痕位置旋轉(zhuǎn)到所述預(yù)定對(duì)準(zhǔn)位置的所述最大速度。

9.根據(jù)權(quán)利要求7所述的方法，其中，所述刻痕窗口是通過(guò)以下方式設(shè)置的：

對(duì)預(yù)定數(shù)量的連續(xù)晶片執(zhí)行刻痕檢測(cè)，以匯集相對(duì)于所述起始位置的刻痕位置數(shù)據(jù)；

確定預(yù)定百分比的所述刻痕位置數(shù)據(jù)落入其中的角度范圍；并且

將所述刻痕窗口設(shè)置為所述角度范圍。