[發明專利]堆疊式電容器結構及其形成方法

在審

• 申請號: 202010919688.9
• 申請日: 2020-09-04
• 公開（公告）號: CN113764582A
• 公開（公告）日: 2021-12-07
• 發明（設計）人: 章思堯
• 申請（專利權）人: 南亞科技股份有限公司
• 主分類號: H01L49/02
• 分類號: H01L49/02
• 代理公司: 北京派特恩知識產權代理有限公司 11270
• 代理人: 浦彩華;姚開麗

1.一種堆疊式電容器結構，其特征在于，包括：

基板；

第一支撐層，設置于所述基板上方；

第一絕緣層，設置于所述第一支撐層上；

第二支撐層，設置于所述第一絕緣層上；

第三支撐層，設置于所述第二支撐層上；

第二絕緣層，設置于所述第三支撐層上；

第三絕緣層，設置于所述第二絕緣層上；

第四支撐層，設置于所述第三絕緣層上；

第一孔洞，從所述第二支撐層的頂表面貫穿至所述第一支撐層的底表面；

第二孔洞，從所述第三絕緣層貫穿至所述第三支撐層的底表面，其中所述第二孔洞連通所述第一孔洞；

第三孔洞，從所述第四支撐層的頂表面貫穿至所述第三絕緣層，其中所述第三孔洞對準所述第二孔洞；以及

電容器，設置于所述第一孔洞、所述第二孔洞及所述第三孔洞中。

2.如權利要求1所述的堆疊式電容器結構，其特征在于，還包括線路層設置在所述基板與所述第一支撐層之間。

3.如權利要求2所述的堆疊式電容器結構，其特征在于，所述第一孔洞貫穿所述線路層的一部分且所述電容器電性連接至所述線路層。

4.如權利要求1所述的堆疊式電容器結構，其特征在于，所述第一絕緣層的材料與所述第二絕緣層的材料不同，且所述第二絕緣層包含摻雜有硼磷硅玻璃的氧化硅。

5.如權利要求1所述的堆疊式電容器結構，其特征在于，所述第一支撐層、所述第二支撐層和所述第四支撐層具有相同的材料，所述第四支撐層的材料與所述第三支撐層的材料不同，且所述第三支撐層包含摻雜有碳的氮化硅。

6.如權利要求1所述的堆疊式電容器結構，其特征在于，還包括第四絕緣層設置在所述第一支撐層與所述第一絕緣層之間。

7.如權利要求1所述的堆疊式電容器結構，其特征在于，所述電容器包括彼此直接接觸的外電極、介電層以及內電極。

8.如權利要求7所述的堆疊式電容器結構，其特征在于，還包括導電材料直接接觸所述內電極，其中所述導電材料填滿所述第一孔洞和所述第二孔洞并延伸至所述第三孔洞的一部分中。

9.如權利要求8所述的堆疊式電容器結構，其特征在于，還包括源極/漏極特征設置在所述第三孔洞中且被所述內電極環繞。

10.如權利要求9所述的堆疊式電容器結構，其特征在于，還包括晶體管電性連接所述源極/漏極特征。

11.一種形成堆疊式電容器結構的方法，其特征在于，所述方法包括：

在基板上方形成第一支撐層；

在所述第一支撐層上形成第一絕緣層；

在所述第一絕緣層上形成第二支撐層；

形成第一孔洞從所述第二支撐層的頂表面貫穿至所述第一支撐層的底表面；

在所述第二支撐層上形成第三支撐層，其中所述第一孔洞被所述第三支撐層密封；

在所述第三支撐層上形成第二絕緣層；

在所述第二絕緣層上形成第三絕緣層；

在所述第三絕緣層上形成第四支撐層；

形成第二孔洞從所述第三絕緣層貫穿至所述第三支撐層的底表面以及形成第三孔洞從所述第四支撐層的頂表面貫穿至所述第三絕緣層，其中所述第一孔洞連通所述第二孔洞和所述第三孔洞；以及

在第一孔洞、第二孔洞和第三孔洞中形成電容器。

12.如權利要求11所述的方法，其特征在于，還包括：

在所述基板與所述第一支撐層之間形成線路層，其中所述線路層電性連接所述電容器。

13.如權利要求11所述的方法，其特征在于，還包括:

在所述第一支撐層與所述第一絕緣層之間形成第四絕緣層。