[發明專利]測體溫用紅外濾光片及其制備方法和應用

有效

• 申請號: 202010919138.7
• 申請日: 2020-09-04
• 公開（公告）號: CN111781666B
• 公開（公告）日: 2020-11-27
• 發明（設計）人: 何虎;張杰;于海洋;許晴;王昕;王爽
• 申請（專利權）人: 上海翼捷工業安全設備股份有限公司
• 主分類號: G02B5/28
• 分類號: G02B5/28;G01J5/08;G01J5/00
• 代理公司: 上海智信專利代理有限公司 31002
• 代理人: 王潔

1.一種測體溫用紅外濾光片，其特征在于，所述的紅外濾光片包括基底、第一膜系結構以及第二膜系結構，所述的第一膜系結構和第二膜系結構分別設置于所述的基底的兩側；

所述的第一膜系結構為：

Sub/0.37H0.39L0.88H0.57L0.79H0.68L0.66H0.72L0.57H0.75L0.63H0.69L0.67H0.63L0.82H0.82L0.84H1.12L0.79H1.05L1.08H0.81L1.12H1.09L0.66H1.52L0.73H0.71L2.50H0.14L1.23H1.96L/Air，其中Sub表示基底，Air表示空氣，H為四分之一波長光學厚度的Ge膜層，L為四分之一波長光學厚度的ZnS膜層，設計波長為4300nm；

所述的第二膜系結構為：

Sub/0.34H0.37L0.84H0.39L0.49H0.35L0.48H0.30L0.38H0.40L0.37H0.55L0.50H0.72L0.42H0.61L0.42H0.48L0.55H0.43L0.54H0.39L0.87H0.74L0.45H0.34L0.25H1.68L0.38H1.31L1.13H0.41L1.93H0.72L0.59H2.33L0.39H0.88L2.34H0.06L1.38H1.89L/Air，其中Sub表示基底，Air表示空氣，H為四分之一波長光學厚度的Ge膜層，L為四分之一波長光學厚度的ZnS膜層，設計波長為4300nm；

所述的紅外濾光片的透射波段5.5～14μm的平均透射率Tave＞85%，截止波段UV～5μm的最大透射率Tmax0.1%；

所述的基底為區熔單晶硅或區熔單晶鍺片。

2.根據權利要求1所述的測體溫用紅外濾光片，其特征在于，所述的基底的厚度為0.35～0.5mm。

3.一種用于制備權利要求1或2所述的測體溫用紅外濾光片的方法，其特征在于，所述的方法包括步驟：

（1）將基底裝入夾具并放置到鍍膜機真空室內，抽真空；

（2）烘烤基底；

（3）離子轟擊基底；

（4）在基底的一側，按照第一膜系結構要求的膜層逐層鍍制第一膜系結構；

（5）將基底翻面，重復步驟（1）～（3），以在基底的另一側，按照第二膜系結構要求的膜層逐層鍍制第二膜系結構；

（6）鍍制結束后，破空，取件。

4.根據權利要求3所述的用于制備所述的測體溫用紅外濾光片的方法，其特征在于，所述的步驟（1）具體為：

將厚度為0.35～0.5mm、光潔度滿足40/20標準的區熔單晶硅片或區熔單晶鍺片基底材料裝入夾具并放置到鍍膜機真空室內，將本底真空度抽至1×10^-3Pa；

所述的步驟（2）具體為：

在170℃～190℃下烘烤基底材料，并保持恒溫20min以上；

所述的步驟（3）具體為：

采用霍爾離子源離子轟擊所述的基底材料5～15min，其中，離子源使用高純氬氣，氣體流量為10～20sccm，轟擊結束5分鐘以內開始鍍膜；

所述的步驟（6）具體為：

鍍制結束后，烘烤溫度降至40～60℃，進行破空、取件。

5.根據權利要求3所述的用于制備所述的測體溫用紅外濾光片的方法，其特征在于，所述的步驟（4）具體為：

按照第一膜系結構要求的膜層逐層鍍制第一膜系結構，采用電子束蒸發工藝蒸發Ge膜料，采用電阻蒸發工藝蒸發ZnS膜料，其中Ge膜的鍍膜速率為0.4～0.6nm/s，ZnS膜的鍍膜速率為0.9～1.1nm/s，沉積過程使用間接光控和晶控聯合控制膜層厚度及鍍膜速率。