[發明專利]一種碳化硼基復相陶瓷及其制備方法

有效

• 申請號: 202010917233.3
• 申請日: 2020-09-03
• 公開（公告）號: CN112209718B
• 公開（公告）日: 2022-07-08
• 發明（設計）人: 王宏;孟慶海;郭方慧;孫宏偉;鐘軍
• 申請（專利權）人: 沈陽中鈦裝備制造有限公司
• 主分類號: C04B35/563
• 分類號: C04B35/563;C04B35/622;B33Y30/00;B33Y70/00;B33Y10/00;B28B1/00;B28B3/00;B28B11/24;B28B17/00
• 代理公司: 北京路浩知識產權代理有限公司 11002
• 代理人: 盛大文

1.一種碳化硼基復相陶瓷，其特征在于，其包括依次層疊設置的加強增硬層、中硬中韌緩沖層和加強增韌層；

其中，所述加強增硬層包括加強增硬粉料，以所述加強增硬粉料的總質量計，所述加強增硬粉料包括如下質量百分含量的組分：

碳化硼粉體 85~95 wt%

Ti0₂粉體 3~5 wt%

純Ni粉 2~5 wt%

鋁粉 1~5 wt%；

所述加強增硬粉料的各組分質量百分含量之和滿足100%；

所述中硬中韌緩沖層包括中硬中韌緩沖粉料，以所述中硬中韌緩沖粉料的總質量計，所述中硬中韌緩沖粉料包括如下質量百分含量的組分：

碳化硼粉體 85~95 wt%

SiC 5~10 wt%

Al₂O₃粉體 2~5 wt%；

所述中硬中韌緩沖粉料的各組分質量百分含量之和滿足100%；

所述加強增韌層包括加強增韌粉料，以所述加強增韌粉料的總質量計，所述加強增韌粉料包括如下質量百分含量的組分：

碳化硼粉體 85~95 wt%

CeO₂粉體 3~7 wt%

Al₂O₃粉體 2~5 wt%。

2.根據權利要求1所述的碳化硼基復相陶瓷，其特征在于，所述碳化硼粉體的D50≤0.5μm；所述Ti0₂粉體的D50≤1μm；所述SiC的D50≤0.5μm；Al₂O₃粉體的D50≤1μm；所述CeO₂粉體的D50≤0.5μm。

3.根據權利要求1所述的碳化硼基復相陶瓷，其特征在于，所述加強增硬層、所述中硬中韌緩沖層和所述加強增韌層均還包括光敏樹脂體系、光引發劑和分散劑；

其中，所述光敏樹脂體系包括光敏預聚體和稀釋單體；所述光敏預聚體選自丙烯酸酯化環氧樹脂、聚氨酯丙烯酸酯、環氧丙烯酸酯中的一種或幾種；所述稀釋單體選自丙烯酸丁酯、新戊二醇二丙烯酸酯、乙氧基乙氧基乙基丙烯酸酯中一種或幾種；所述稀釋單體與所述光敏預聚體的質量比為1.5~3：1；

所述光引發劑為安息香和/或苯基雙（2,4,6-三甲基苯甲酰基）氧化膦；所述光引發劑的添加量為所述光敏樹脂體系總質量的3~5%；

所述分散劑為聚羧酸銨鹽；所述分散劑的添加量為所述光敏樹脂體系總質量的0.1~0.5%。

4.根據權利要求3所述的碳化硼基復相陶瓷，其特征在于，所述光敏預聚體分別與所述加強增硬粉料、所述中硬中韌緩沖粉料、所述加強增韌粉料的質量比均為1：2~3.5。

5.根據權利要求1-4任一項所述的碳化硼基復相陶瓷，其特征在于，所述碳化硼基復相陶瓷的厚度為5.5~9.5 mm。

6.根據權利要求5所述的碳化硼基復相陶瓷，其特征在于，所述碳化硼基復相陶瓷的厚度為5.5 mm或9.5 mm。