[發明專利]一種基于肖特基接觸光柵化結構的太赫茲探測器

有效

• 申請號: 202010916117.X
• 申請日: 2020-09-03
• 公開（公告）號: CN112229511B
• 公開（公告）日: 2023-04-07
• 發明（設計）人: 馬建國;周紹華
• 申請（專利權）人: 廣東工業大學
• 主分類號: G01J1/46
• 分類號: G01J1/46
• 代理公司: 廣東廣信君達律師事務所 44329
• 代理人: 孔祥健

1.一種基于肖特基接觸光柵化結構的太赫茲探測器，其特征在于，包括具有肖特基接觸光柵化結構的SBD、偏置電壓Vb1、偏置電阻Rb1、隔直電容C1、開關S1、探測器和讀出電路測試開關以及讀出電路；

其中，所述具有肖特基接觸光柵化結構的SBD的陽極分別與偏置電阻Rb1的一端和隔直電容C1的一端連接，其陰極接地；

所述偏置電阻Rb1的另一端與偏置電壓Vb1連接，用于為具有肖特基接觸光柵化結構的SBD供電；

所述隔直電容C1的另一端與開關S1的一端，而開關S1的另一端與讀出電路連接；

所述探測器和讀出電路測試開關連接于所述開關S1和讀出電路之間。

2.根據權利要求1所述的一種基于肖特基接觸光柵化結構的太赫茲探測器，其特征在于，所述具有肖特基接觸光柵化結構的SBD為陽極轉化為光柵化結構的SBD，具有形成類光柵化的溝道。

3.根據權利要求2所述的一種基于肖特基接觸光柵化結構的太赫茲探測器，其特征在于，所述具有肖特基接觸光柵化結構的SBD的肖特基接觸光柵化結構參數包括光柵的寬度、長度、區域面積、周期和圖案形式，通過該些參數來實現太赫茲響應頻點的調節。

4.根據權利要求3所述的一種基于肖特基接觸光柵化結構的太赫茲探測器，其特征在于，所述具有肖特基接觸光柵化結構的SBD為淺溝道隔離型SBD或多晶硅柵隔離型SBD。

5.根據權利要求1所述的一種基于肖特基接觸光柵化結構的太赫茲探測器，其特征在于，所述讀出電路包括低噪聲斬波放大器和高分辨率模數轉換器；所述低噪聲斬波放大器連接于開關S1和高分辨率模數轉換器之間，將接收到的太赫茲信號進行放大并利用斬波電路技術來減少放大器自身的offset和1/f噪聲；所述高分辨率模數轉換器將放大后的太赫茲信號進行數字化，以便進行后端信號處理。

6.根據權利要求1所述的一種基于肖特基接觸光柵化結構的太赫茲探測器，其特征在于，所述探測器和讀出電路測試開關包括探測器測試開關S2和讀出電路測試開關S3；所述探測器測試開關S2和讀出電路測試開關S3分別連接于所述開關S1和讀出電路之間。