[發明專利]用于MOSFET的E2 有效
| 申請號: | 202010915551.6 | 申請日: | 2020-09-03 |
| 公開(公告)號: | CN112260522B | 公開(公告)日: | 2022-04-05 |
| 發明(設計)人: | 孫向東;陳澤馳;王之軒;任碧瑩 | 申請(專利權)人: | 西安理工大學 |
| 主分類號: | H02M1/08 | 分類號: | H02M1/08 |
| 代理公司: | 西安弘理專利事務所 61214 | 代理人: | 弓長 |
| 地址: | 710048 陜*** | 國省代碼: | 陜西;61 |
| 權利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 用于 mosfet base sub | ||
1.用于MOSFET的E2類諧振驅動電路,其特征在于,包括直流供電電壓VDC,直流供電電壓VDC的正極連接有直流電感L1的一端,直流電感L1的另一端連接有第一MOSFET開關管S1的漏極,第一MOSFET開關管S1的源極連接到直流供電電壓VDC的負極,還包括串聯的二倍頻諧振電感L2和諧振電容C2,二倍頻諧振電感L2和諧振電容C2串聯連接后并聯到第一MOSFET開關管S1的漏極與源極上,二倍頻諧振電感L2和諧振電容C2串聯連接后還并列連接有ON-OFF子電路,直流供電電壓VDC還并列連接有負壓關斷子電路,ON-OFF子電路的輸出端和負壓關斷子電路的輸出端共同并列連接有被驅動主動開關管S;
所述ON-OFF子電路包括輔助諧振電容C1、第二MOSFET開關管S2以及第三MOSFET開關管S3,輔助諧振電容C1與第二MOSFET開關管S2的漏極與源極并聯連接;第二MOSFET開關管S2的漏極與第一MOSFET開關管S1的漏極相連;第二MOSFET開關管S2的源極與第三MOSFET開關管S3的漏極相連,連接點記為A點;第三MOSFET開關管S3的源極與第一MOSFET開關管S1的源極相連,驅動主動開關管S的柵極連接A點,驅動主動開關管S的源極連接ON-OFF子電路的輸出端;
所述負壓關斷子電路包括穩壓二極管DZ1、穩壓電容C3、續流電阻R1,穩壓二極管DZ1的陽極與穩壓電容C3的負極和第三MOSFET開關管S3的源極相連;穩壓二極管DZ1的陰極與穩壓電容C3的正極相連,連接點記為B點;續流電阻R1的一端連接到直流供電電壓VDC的正極,續流電阻R1的另一端連接到連接點B點,A點和B點之間連接有主諧振電容C4,被驅動的主開關管S的柵極連接A點,被驅動的主開關管S的源極連接B點;
用于MOSFET的E2類諧振驅動電路的調制方法,所述用于MOSFET的E2類諧振驅動電路的ON-OFF邏輯控制子電路包括:高頻方波發生器和ON-OFF調制器,被驅動的主開關管S的高頻開關頻率由高頻方波發生器產生,高頻方波發生器產生頻率為f1、占空比為du1的高頻方波信號,ON-OFF調制器的工作頻率為f2,ON-OFF調制器的工作占空比為du2,ON-OFF調制器的使能信號為EN,高頻方波發生器的輸出信號記為G1,高頻方波發生器連接有與門芯片IC2的1輸入端和與門芯片IC3的1輸入端;ON-OFF調制器的輸出信號連接有與門芯片IC2的2輸入端和非門芯片IC1的輸入端;非門芯片IC1的輸出端連接至與門芯片IC3的2輸入端;與門芯片IC2的輸出信號連接有SR觸發器的S端輸入引腳;與門芯片IC3的輸出信號連接到SR觸發器的R端輸入引腳;SR觸發器的引腳Q輸出信號記為G2;SR觸發器的引腳Q輸出信號記為G3,其中,信號G1為第一MOSFET開關管S1的驅動信號,信號G2為第二MOSFET開關管S2的驅動信號,信號G3為第三MOSFET開關管S3的驅動信號,信號G2與信號G3始終互補;所述的用于MOSFET的E2類諧振驅動電路根據ON-OFF調制器的使能信號EN分為3個工作狀態,具體為:t0~t1段為使能禁止狀態,驅動電路的輸出始終處于負壓關斷狀態;t1~t2段為ON狀態,驅動電路的輸出為高頻開關驅動信號;t2~t3段為OFF狀態,驅動電路的輸出始終處于負壓關斷狀態。
2.根據權利要求1所述的用于MOSFET的E2類諧振驅動電路的調制方法,其特征在于,具體調制方法如下:
t0~t1使能禁止狀態:使能信號EN為低電平無效信號,高頻方波發生器輸出方波信號G1,第一MOSFET開關管S1始終工作于高頻開關狀態,諧振電路逐漸起振,ON-OFF調制器輸出信號為低電平,使得信號G2始終為低電平,第二MOSFET開關管S2始終關斷,第三MOSFET開關管S3始終導通,驅動電路的輸出電壓U1始終為負壓信號,在此時間段內,直流電感L1、第一MOSFET開關管S1、輔助諧振電容C1、二倍頻諧振電感L2和諧振電容C2共同構成E2類諧振電路,由于負壓關斷子電路的存在使得驅動電路輸出為恒負壓信號,在這個區間內,通過延遲EN信號的使能時間來使E2類諧振電路達到穩定的工作狀態;
t1~t2ON狀態:此狀態驅動電路的輸出為高頻開關驅動信號,此時使能信號EN為有效信號,ON-OFF調制器輸出高電平信號,t0~t1段的時間長度決于占空比du2,此時G2信號為高電平,第二MOSFET開關管S2始終導通,第三MOSFET開關管S3始終關斷,驅動電路的輸出電壓U1為高頻開關驅動信號,開關頻率由信號G1的頻率決定,在此時間段內,直流電感L1、第一開關管S1、主諧振電容C4、二倍頻諧振電感L2和諧振電容C2共同構成E2類諧振電路,負壓關斷電路使得UDS1信號產生了負壓偏移,因此驅動電路具有負壓關斷的功能;
t2~t3OFF狀態:此狀態驅動電路的輸出始終為負壓關斷,此時使能信號EN為有效信號,ON-OFF調制器輸出低電平信號,t1~t2段的時間長度取決于du2,G2信號為低電平,G3信號為高電平,第二MOSFET開關管S2始終關斷,第三MOSFET開關管S3始終導通,驅動電路的輸出電壓U1始終為負壓狀態,在此時間段內,直流電感L1、第一開關管S1、輔助諧振電容C1、二倍頻諧振電感L2和諧振電容C2共同構成E2類諧振電路,諧振電路部分持續工作。
該專利技術資料僅供研究查看技術是否侵權等信息,商用須獲得專利權人授權。該專利全部權利屬于西安理工大學,未經西安理工大學許可,擅自商用是侵權行為。如果您想購買此專利、獲得商業授權和技術合作,請聯系【客服】
本文鏈接:http://www.szxzyx.cn/pat/books/202010915551.6/1.html,轉載請聲明來源鉆瓜專利網。
- 同類專利
- 專利分類
H02M 用于交流和交流之間、交流和直流之間、或直流和直流之間的轉換以及用于與電源或類似的供電系統一起使用的設備;直流或交流輸入功率至浪涌輸出功率的轉換;以及它們的控制或調節
H02M1-00 變換裝置的零部件
H02M1-02 .專用于在靜態變換器內的放電管產生柵極控制電壓或引燃極控制電壓的電路
H02M1-06 .非導電氣體放電管或等效的半導體器件的專用電路,例如閘流管、晶閘管的專用電路
H02M1-08 .為靜態變換器中的半導體器件產生控制電壓的專用電路
H02M1-10 .具有能任意地用不同種類的電流向負載供電的變換裝置的設備,例如用交流或直流
H02M1-12 .減少交流輸入或輸出諧波成分的裝置
- 一種Nd<sub>2</sub>O<sub>3</sub>-Yb<sub>2</sub>O<sub>3</sub>改性的La<sub>2</sub>Zr<sub>2</sub>O<sub>7</sub>-(Zr<sub>0.92</sub>Y<sub>0.08</sub>)O<sub>1.96</sub>復相熱障涂層材料
- 無鉛[(Na<sub>0.57</sub>K<sub>0.43</sub>)<sub>0.94</sub>Li<sub>0.06</sub>][(Nb<sub>0.94</sub>Sb<sub>0.06</sub>)<sub>0.95</sub>Ta<sub>0.05</sub>]O<sub>3</sub>納米管及其制備方法
- 磁性材料HN(C<sub>2</sub>H<sub>5</sub>)<sub>3</sub>·[Co<sub>4</sub>Na<sub>3</sub>(heb)<sub>6</sub>(N<sub>3</sub>)<sub>6</sub>]及合成方法
- 磁性材料[Co<sub>2</sub>Na<sub>2</sub>(hmb)<sub>4</sub>(N<sub>3</sub>)<sub>2</sub>(CH<sub>3</sub>CN)<sub>2</sub>]·(CH<sub>3</sub>CN)<sub>2</sub> 及合成方法
- 一種Bi<sub>0.90</sub>Er<sub>0.10</sub>Fe<sub>0.96</sub>Co<sub>0.02</sub>Mn<sub>0.02</sub>O<sub>3</sub>/Mn<sub>1-x</sub>Co<sub>x</sub>Fe<sub>2</sub>O<sub>4</sub> 復合膜及其制備方法
- Bi<sub>2</sub>O<sub>3</sub>-TeO<sub>2</sub>-SiO<sub>2</sub>-WO<sub>3</sub>系玻璃
- 熒光材料[Cu<sub>2</sub>Na<sub>2</sub>(mtyp)<sub>2</sub>(CH<sub>3</sub>COO)<sub>2</sub>(H<sub>2</sub>O)<sub>3</sub>]<sub>n</sub>及合成方法
- 一種(Y<sub>1</sub>-<sub>x</sub>Ln<sub>x</sub>)<sub>2</sub>(MoO<sub>4</sub>)<sub>3</sub>薄膜的直接制備方法
- 熒光材料(CH<sub>2</sub>NH<sub>3</sub>)<sub>2</sub>ZnI<sub>4</sub>
- Li<sub>1.2</sub>Ni<sub>0.13</sub>Co<sub>0.13</sub>Mn<sub>0.54</sub>O<sub>2</sub>/Al<sub>2</sub>O<sub>3</sub>復合材料的制備方法





