[發明專利]一種陣列基板及其制備方法、液晶顯示面板在審
| 申請號: | 202010914765.1 | 申請日: | 2020-09-03 |
| 公開(公告)號: | CN112071861A | 公開(公告)日: | 2020-12-11 |
| 發明(設計)人: | 王海軍 | 申請(專利權)人: | TCL華星光電技術有限公司 |
| 主分類號: | H01L27/12 | 分類號: | H01L27/12;H01L21/77;G02F1/1362 |
| 代理公司: | 深圳紫藤知識產權代理有限公司 44570 | 代理人: | 遠明 |
| 地址: | 518132 廣東*** | 國省代碼: | 廣東;44 |
| 權利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 陣列 及其 制備 方法 液晶顯示 面板 | ||
本申請提供一種陣列基板及其制備方法、液晶顯示面板,所述陣列基板包括基板;顯示薄膜晶體管,陣列的設置于所述基板上;感光薄膜晶體管,設置于所述基板上;其中,所述顯示薄膜晶體管與所述感光薄膜晶體管同層且間隔設置。本申請通過將感光薄膜晶體管和顯示薄膜晶體管制備在同一基板上,以實現集成感應與顯示的功能,同時能使陣列基板的厚度減少;并且利用一道制程制備遮光層的透光區與其他遮光區,從而節省制程工藝,降低產品成本。
技術領域
本申請涉及顯示技術領域,尤其涉及一種陣列基板及其制備方法、液晶顯示面板。
背景技術
薄膜晶體管液晶顯示器(TFT-LCD)因具有輕、薄、小等特點,同時功耗低、無輻射、制造成本相對較低,在目前平板顯示行業應用較為廣泛。為拓寬液晶顯示器商用及家用功能,現將諸多功能集成在顯示器中,如色溫感測,激光感測,氣體感測等,提高了液晶顯示器可應用場景。但諸多集成功能均處在新開發階段,尚有較多工藝制程及相關設計需要完善,以便提高多種集成功能液晶顯示器性能。
其中,為了實現液晶顯示器激光感測功能,許多面板制造商將具有感應激光功能的傳感器單獨制備在玻璃上,再貼合在具有顯示功能的Open cell(液晶面板)上,以實現具有激光感測效果的液晶顯示器。然而,這種方法雖然可實現集成激光感應與顯示的功能,但由于制備工藝較復雜,成本較高(需要較多玻璃與工藝制程),同時整個顯示面板厚度較高(玻璃厚度較高),無法實現大規模商業化應用。
發明內容
本申請提供了一種陣列基板及其制備方法、液晶顯示面板,用以將感光薄膜晶體管和顯示薄膜晶體管制備在同一基板上,從而節省制程工藝,降低產品成本。
一種陣列基板,包括:
基板;
顯示薄膜晶體管,陣列的設置于所述基板上;
感光薄膜晶體管,設置于所述基板上;其中,
所述顯示薄膜晶體管與所述感光薄膜晶體管同層且間隔設置。
本申請的陣列基板中,所述陣列基板還包括:
第一金屬層,設置于所述基板上,所述第一金屬層包括間隔設置的第一電極、第二電極以及第三電極;
第一絕緣層,設置于所述第一金屬層上方;
半導體層,設置于所述第一絕緣層上方,所述半導體層包括第一半導體層和第二半導體層;所述第一半導體層設置于所述第一電極上方;所述第二半導體層設置于所述第二電極上方;
第二金屬層,設置于所述半導體層和所述第一絕緣層上方,所述第二金屬層包括第四電極、第五電極、源極、漏極以及第六電極;所述第四電極和所述第五電極位于所述第一半導體層上方;所述源極和所述漏極位于所述第二半導體層上方;所述第六電極位于所述第三電極上方;
第二絕緣層,設置于所述第二金屬層上方;
透明電極,設置于所述第二絕緣層上方,所述透明電極與所述第六電極以及所述漏極相連接。
本申請的陣列基板中,所述陣列基板還包括位于所述基板上的存儲電容;所述存儲電容包括相對設置的所述第三電極和所述第六電極;所述第六電極通過所述透明電極與所述顯示薄膜晶體管的漏極相連接。
本申請的陣列基板中,所述顯示薄膜晶體管包括位于所述基板上且層疊設置的所述第二電極、所述第二半導體層以及所述源極和漏極;
所述感光薄膜晶體管包括位于所述基板上且層疊設置的所述第一電極、所述第一半導體層、所述第四電極和所述第五電極;其中,
該專利技術資料僅供研究查看技術是否侵權等信息,商用須獲得專利權人授權。該專利全部權利屬于TCL華星光電技術有限公司,未經TCL華星光電技術有限公司許可,擅自商用是侵權行為。如果您想購買此專利、獲得商業授權和技術合作,請聯系【客服】
本文鏈接:http://www.szxzyx.cn/pat/books/202010914765.1/2.html,轉載請聲明來源鉆瓜專利網。
- 同類專利
- 專利分類
H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





