[發明專利]一種驅動電路及其驅動方法

在審

• 申請號: 202010914378.8
• 申請日: 2020-09-03
• 公開（公告）號: CN112071277A
• 公開（公告）日: 2020-12-11
• 發明（設計）人: 王海軍;張鑫;江淼
• 申請（專利權）人: 深圳市華星光電半導體顯示技術有限公司
• 主分類號: G09G3/36
• 分類號: G09G3/36
• 代理公司: 深圳紫藤知識產權代理有限公司 44570
• 代理人: 唐秀萍

1.一種驅動電路，其特征在于，包括：

第一薄膜晶體管，用于感應產生光電流，其柵極連接至第一掃描信號線，其漏極連接至一第一電源電壓；

第二薄膜晶體管，用于放大所述光電流，其柵極連接至所述第一薄膜晶體管的源極，其漏極連接至第二電源電壓；

第三薄膜晶體管，用于控制所述光電流的讀取時序，其柵極連接至第二掃描信號線，其漏極連接至所述第二薄膜晶體管的源極，其源極連接至讀取線；以及

第一存儲電容，其一端連接至所述第一薄膜晶體管的柵極，其另一端連接至所述第一薄膜晶體管的源極和所述第二薄膜晶體管的柵極。

2.根據權利要求1所述的驅動電路，其特征在于，還包括：

第二存儲電容，其一端連接至所述第二薄膜晶體管的源極和所述第三薄膜晶體管的漏極，其另一端連接至接地端。

3.根據權利要求1所述的驅動電路，其特征在于，還包括：

第四薄膜晶體管，用于復位所述光電流，其柵極連接至復位信號線，其漏極連接至所述第一存儲電容的另一端和所述第二薄膜晶體管的柵極，其源極連接至第三電源電壓。

4.根據權利要求3所述的驅動電路，其特征在于，還包括：

第二存儲電容，其一端連接至所述第二薄膜晶體管的源極和所述第三薄膜晶體管的漏極，其另一端連接至接地端。

5.根據權利要求3所述的驅動電路，其特征在于，

所述第一薄膜晶體管、第二薄膜晶體管、第三薄膜晶體管、第四薄膜晶體管為低溫多晶硅薄膜晶體管、氧化物半導體薄膜晶體管或非晶硅薄膜晶體管中的任一種。

6.根據權利要求1所述的驅動電路，其特征在于，

所述第一電源電壓、所述第二電源電壓的范圍均為-20v至+20v。

7.根據權利要求3所述的驅動電路，其特征在于，所述第三電源電壓范圍為-10v至0v。

8.根據權利要求1-7任一項所述的驅動電路的驅動方法，其特征在于，所述驅動方法包括如下步驟：

初始階段，在光環境下，向所述第一薄膜晶體管的柵極輸入第一掃描信號，向所述第一薄膜晶體管的漏極施加所述第一電源電壓，所述第一薄膜晶體管被打開且產生所述光電流，所述光電流由所述第一薄膜晶體管的源極分支流向所述第一存儲電容和所述第二薄膜晶體管，其中，流向所述第二薄膜晶體管的光電流對應形成的所述第二薄膜晶體管的柵極的開啟電壓；

放大光電流階段，向所述第二薄膜晶體管的漏極施加所述第二電源電壓，所述第二薄膜晶體管的漏極產生漏電流，并放大流向所述第二薄膜晶體管的光電流；以及

獲取光電流階段，向所述第三薄膜晶體管的柵極輸入第二掃描信號，打開所述第三薄膜晶體管，關閉所述第一薄膜晶體管和第二薄膜晶體管，所述第一存儲電容的電壓從所述第三薄膜晶體管的源極釋放，所述讀取線讀出流向所述第二薄膜晶體管的光電流。

9.根據權利要求8所述的驅動電路的驅動方法，其特征在于，

所述放大光電流階段的步驟還包括，

當放大流向所述第二薄膜晶體管的光電流時，所述第一薄膜晶體管和所述第二薄膜晶體管之間產生放大電壓，該放大電壓被存儲于所述第二存儲電容中，并作為所述第三薄膜晶體管的漏極電壓；

所述獲取光電流階段的步驟還包括，所述第二存儲電容的放大電壓從所述第三薄膜晶體管的源極釋放。

10.根據權利要求8或9所述的驅動電路的驅動方法，其特征在于，

在所述獲取光電流階段之后，還包括：

復位階段，向所述第四薄膜晶體管的柵極輸入復位信號，以及所述第四薄膜晶體管的源極施加所述第三電源電壓，所述第四薄膜晶體管的漏極拉低所述第一薄膜晶體管的源極電壓，所述第二薄膜晶體管處于關閉狀態。