[發(fā)明專利]電容器有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 202010914347.2 | 申請(qǐng)日: | 2020-09-03 |
| 公開(kāi)(公告)號(hào): | CN112542314B | 公開(kāi)(公告)日: | 2022-08-23 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 佐野光雄;小幡進(jìn);樋口和人;下川一生 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 株式會(huì)社東芝 |
| 主分類號(hào): | H01G4/005 | 分類號(hào): | H01G4/005;H01G4/228 |
| 代理公司: | 永新專利商標(biāo)代理有限公司 72002 | 代理人: | 徐殿軍 |
| 地址: | 日本*** | 國(guó)省代碼: | 暫無(wú)信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 電容器 | ||
本發(fā)明的實(shí)施方式涉及電容器。提供一種能夠?qū)崿F(xiàn)較大的電容量且不易產(chǎn)生翹曲的電容器。實(shí)施方式的電容器具備:導(dǎo)電基板(CS),具有第一主面與第二主面,所述第一主面包含多個(gè)副區(qū)域(A1a、A1b),在所述多個(gè)副區(qū)域(A1a、A1b)的各個(gè)設(shè)置分別具有沿一個(gè)方向延伸的形狀且在寬度方向上排列的多個(gè)凹部(TR1a、TR1b)或凸部(WM1a、WM1b),所述多個(gè)副區(qū)域的一個(gè)以上(A1a)與所述多個(gè)副區(qū)域的其他一個(gè)以上(A1b)的所述多個(gè)凹部或凸部的長(zhǎng)度方向不同;導(dǎo)電層,覆蓋所述多個(gè)凹部的側(cè)壁及底面或者所述多個(gè)凸部的側(cè)壁及上表面;以及電介質(zhì)層,夾設(shè)于所述導(dǎo)電基板與所述導(dǎo)電層之間。
本申請(qǐng)以日本專利申請(qǐng)2019-171151(申請(qǐng)日:9/20/2019)為基礎(chǔ),從該申請(qǐng)享受優(yōu)先的利益。本申請(qǐng)通過(guò)參照該申請(qǐng)而包含該申請(qǐng)的全部?jī)?nèi)容。
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明的實(shí)施方式涉及電容器。
背景技術(shù)
伴隨著通信設(shè)備的小型化以及高功能化,對(duì)搭載在它們上的電容器要求小型化以及薄型化。作為在維持容量密度的同時(shí)實(shí)現(xiàn)小型化以及薄型化的結(jié)構(gòu),有在基板形成溝槽而使表面積增大的溝槽電容器。
發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明要解決的課題在于,提供一種能夠?qū)崿F(xiàn)較大的電容量且不易產(chǎn)生翹曲的電容器。
根據(jù)一方面,提供一種電容器,具備:導(dǎo)電基板,具有第一主面與第二主面,所述第一主面包含多個(gè)第一副區(qū)域,在所述多個(gè)第一副區(qū)域的各個(gè)設(shè)有分別具有沿一個(gè)方向延伸的形狀且在寬度方向排列的多個(gè)第一凹部或第一凸部,所述多個(gè)第一副區(qū)域的一個(gè)以上與所述多個(gè)第一副區(qū)域的其他一個(gè)以上的所述多個(gè)第一凹部或第一凸部的長(zhǎng)度方向不同;導(dǎo)電層,覆蓋所述多個(gè)第一凹部的側(cè)壁及底面或所述多個(gè)第一凸部的側(cè)壁及上表面;以及電介質(zhì)層,夾設(shè)于所述導(dǎo)電基板與所述導(dǎo)電層之間。
根據(jù)上述構(gòu)成,能夠提供一種可以實(shí)現(xiàn)較大的電容量且不易產(chǎn)生翹曲的電容器。
附圖說(shuō)明
圖1是第一實(shí)施方式的電容器的俯視圖。
圖2是沿著圖1所示的電容器的II-II線的剖面圖。
圖3是圖1以及圖2所示的電容器所包含的導(dǎo)電基板的俯視圖。
圖4是表示圖1以及圖2所示的電容器的制造中的一工序的剖面圖。
圖5是表示圖1以及圖2所示的電容器的制造中的其他工序的剖面圖。
圖6是表示通過(guò)圖4以及圖5的工序而得的結(jié)構(gòu)的剖面圖。
圖7是第一變形例的電容器所包含的導(dǎo)電基板的立體圖。
圖8是第二變形例的電容器所包含的導(dǎo)電基板的立體圖。
圖9是第三變形例的電容器所包含的導(dǎo)電基板的立體圖。
圖10是表示副區(qū)域的排列與溝槽的排列的關(guān)系的一例的俯視圖。
圖11是表示副區(qū)域的排列與溝槽的排列的關(guān)系的其他例的俯視圖。
圖12是第二實(shí)施方式的電容器的剖面圖。
圖13是圖12所示的電容器所包含的導(dǎo)電基板的俯視圖。
具體實(shí)施方式
以下,參照附圖對(duì)實(shí)施方式進(jìn)行詳細(xì)說(shuō)明。另外,在所有附圖中對(duì)發(fā)揮相同或類似的功能的構(gòu)成要素標(biāo)注相同的附圖標(biāo)記并省略的重復(fù)說(shuō)明。
<第一實(shí)施方式>
在圖1以及圖2中,示出第一實(shí)施方式的電容器。
如圖2所示,圖1以及圖2所示的電容器1包含導(dǎo)電基板CS、導(dǎo)電層20b、以及電介質(zhì)層30。
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