[發(fā)明專利]薄膜晶體管及其制造方法及包括該薄膜晶體管的顯示設(shè)備

在審

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• 申請日: 2020-09-03
• 公開（公告）號: CN112635571A
• 公開（公告）日: 2021-04-09
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 梁晸碩;趙光敏;李昭珩
• 申請（專利權(quán)）人: 樂金顯示有限公司
• 主分類號: H01L29/786
• 分類號: H01L29/786;H01L27/12;H01L21/34;H01L27/32
• 代理公司: 北京律誠同業(yè)知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11006
• 代理人: 徐金國

1.一種薄膜晶體管，包括：

在基板上的有源層；

柵極，所述柵極與所述有源層分開設(shè)置以至少部分地與所述有源層交疊；及

在所述有源層和所述柵極之間的柵極絕緣層，

其中，

所述柵極絕緣層覆蓋所述有源層的面對所述柵極的整個頂表面，

所述有源層包括：

與所述柵極交疊的溝道部；

不與所述柵極交疊的導(dǎo)電性提供部；及

在所述溝道部和所述導(dǎo)電性提供部之間的偏移部，

其中所述偏移部不與所述柵極交疊，

其中所述導(dǎo)電性提供部摻雜有摻雜劑。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的薄膜晶體管，其中，

在所述溝道部的寬度是L1并且所述偏移部的寬度是L2時(shí)，所述薄膜晶體管滿足下面的方程式1，

[方程式1]

L1×L2×1/η1≥1

其中η1滿足關(guān)系：0.5μm²≤η1≤1.5μm²。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的薄膜晶體管，其中，η1＝0.5μm²。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的薄膜晶體管，其中，所述有源層包括氧化物半導(dǎo)體材料。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的薄膜晶體管，其中，所述摻雜劑包括硼(B)、磷(P)、氟(F)和氫(H)中的至少一種。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的薄膜晶體管，其中，所述偏移部具有沿著從所述溝道部到所述導(dǎo)電性提供部的方向增加的摻雜劑濃度梯度。

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的薄膜晶體管，其中，所述偏移部的電阻率低于所述溝道部的電阻率，并且高于所述導(dǎo)電性提供部的電阻率。

8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的薄膜晶體管，其中，所述偏移部的寬度是0.25μm或者更大。

9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的薄膜晶體管，其中，所述溝道部的寬度是2μm或者更大。

10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的薄膜晶體管，還包括設(shè)置在所述基板與所述有源層之間的緩沖層，

其中，所述摻雜劑摻雜在所述緩沖層上。

11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的薄膜晶體管，其中，在與所述導(dǎo)電性提供部交疊的區(qū)域中，所述導(dǎo)電性提供部的摻雜劑濃度高于所述柵極絕緣層的摻雜劑濃度和所述緩沖層的摻雜劑濃度。

12.根據(jù)權(quán)利要求10所述的薄膜晶體管，其中，在與所述導(dǎo)電性提供部交疊的區(qū)域中，所述緩沖層的摻雜劑濃度高于所述導(dǎo)電性提供部的摻雜劑濃度和所述柵極絕緣層的摻雜劑濃度。

13.根據(jù)權(quán)利要求1所述的薄膜晶體管，其中，所述有源層包括：

在所述基板上的第一氧化物半導(dǎo)體層；及

在所述第一氧化物半導(dǎo)體層上的第二氧化物半導(dǎo)體層。

14.根據(jù)權(quán)利要求1所述的薄膜晶體管，還包括彼此分開設(shè)置并連接到所述有源層的源極和漏極。

15.根據(jù)權(quán)利要求14所述的薄膜晶體管，其中，所述源極和所述漏極與所述柵極設(shè)置在相同層上，并且包括與所述柵極的材料相同的材料。

16.根據(jù)權(quán)利要求1所述的薄膜晶體管，其中，在所述薄膜晶體管導(dǎo)通時(shí)，所述偏移部的電阻率高于所述溝道部的電阻率，并且高于所述導(dǎo)電性提供部的電阻率。