[發(fā)明專利]發(fā)光元件有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 202010914056.3 | 申請(qǐng)日： | 2016-02-03 |
| 公開（公告）號(hào)： | CN112038456B | 公開（公告）日： | 2023-04-07 |
| 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人： | 林義杰 | 申請(qǐng)（專利權(quán)）人： | 晶元光電股份有限公司 |
| 主分類號(hào)： | H01L33/06 | 分類號(hào)： | H01L33/06;H01L33/14;H01L33/12;H01L33/30 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律師事務(wù)所 11105 | 代理人： | 陳小雯 |
| 地址： | 中國(guó)臺(tái)*** | 國(guó)省代碼： | 暫無信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 發(fā)光 元件 | ||
本發(fā)明公開種一發(fā)光元件，其包含︰基板；以及一位于基板上的活性結(jié)構(gòu)，其包含一阱層以及一阻障層，其中阱層包含多個(gè)不同的VA族元素；其中阱層和阻障層各具有一殘留壓縮應(yīng)力，且阱層的殘留壓縮應(yīng)力大于阻障層的殘留壓縮應(yīng)力。
本申請(qǐng)是中國(guó)發(fā)明專利申請(qǐng)(申請(qǐng)?zhí)枺?01610075751.9，申請(qǐng)日：2016年02月03日，發(fā)明名稱：發(fā)光元件)的分案申請(qǐng)。
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明涉及一種發(fā)光元件，尤其是涉及一種具有較長(zhǎng)壽命以及較高的可靠度的半導(dǎo)體發(fā)光元件。
背景技術(shù)
發(fā)光二極管被廣泛地用于固態(tài)照明光源。相較于傳統(tǒng)的白熾燈泡和熒光燈，發(fā)光二極管具有耗電量低以及壽命長(zhǎng)等優(yōu)點(diǎn)，因此發(fā)光二極管已逐漸取代傳統(tǒng)光源，并且應(yīng)用于各種領(lǐng)域，如交通號(hào)志、背光模塊、路燈照明、醫(yī)療設(shè)備等。
發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明提供一種一發(fā)光元件，其包含︰一基板；以及一位于基板上的活性結(jié)構(gòu)，其包含一阱層以及一阻障層，其中阱層包含多個(gè)不同的VA族元素；其中阱層和阻障層各具有一殘留壓縮應(yīng)力，且阱層的殘留壓縮應(yīng)力大于阻障層的殘留壓縮應(yīng)力。
本發(fā)明提供一種發(fā)光元件，其包含︰活性結(jié)構(gòu)，其包含阱層以及阻障層；具有第一導(dǎo)電型態(tài)的第一半導(dǎo)體層以及具有第二導(dǎo)電型態(tài)的第二半導(dǎo)體層，活性結(jié)構(gòu)位于第一半導(dǎo)體層以及第二半導(dǎo)體層之間；第一中間層，位于第一半導(dǎo)體層以及活性結(jié)構(gòu)之間；以及窗戶層，位于第一半導(dǎo)體層上且具有粗化部分；其中阻障層包含AlzGa1-zAs，且窗戶層的鋁含量小于第一中間層的鋁含量。
本發(fā)明提供一種發(fā)光元件，其包含︰活性結(jié)構(gòu)，其包含阱層以及阻障層；具有第一導(dǎo)電型態(tài)的第一半導(dǎo)體層以及具有第二導(dǎo)電型態(tài)的第二半導(dǎo)體層，活性結(jié)構(gòu)位于第一半導(dǎo)體層以及第二半導(dǎo)體層之間；第一中間層，位于第一半導(dǎo)體層以及活性結(jié)構(gòu)之間；以及窗戶層，位于第一半導(dǎo)體層上且具有粗化部分；其中阱層和阻障層各具有一殘留壓縮應(yīng)力，第一中間層包含Alz1Ga1-z1As，第一窗戶層包含Alz2Ga1-z2As，且z1＞z2。
本發(fā)明提供一種發(fā)光元件，其包含︰基板；活性結(jié)構(gòu)，位于基板上且包含一阱層以及一阻障層；第一中間層，位于基板以及活性結(jié)構(gòu)之間，且第一中間層的厚度大于阻障層的厚度；窗戶層，位于第一半導(dǎo)體層上且具有粗化部分；以及粘接層，位于第一中間層以及基板之間；其中阱層包含多個(gè)不同的VA族元素，且第一中間層包含不同于阻障層的材料。
附圖說明
圖1為本發(fā)明的其中一實(shí)施例的發(fā)光元件的剖視圖；
圖2為本發(fā)明的其中一實(shí)施例的發(fā)光元件的剖視圖；
圖3為本發(fā)明的其中一實(shí)施例的發(fā)光元件的剖視圖；
圖4為本發(fā)明的其中一實(shí)施例的發(fā)光元件的剖視圖；
圖5為圖4中部分結(jié)構(gòu)以掃瞄式電子顯微鏡(Scanning?Electron?Microscopy，SEM)呈現(xiàn)的放大圖；
圖6為本發(fā)明的其中一實(shí)施例的上視圖；以及
圖7為本發(fā)明的其中一實(shí)施例的燈泡分解示意圖。
符號(hào)說明
10：基板??????????????????????????20：第一半導(dǎo)體層
30：第二半導(dǎo)體層??????????????????40：活性結(jié)構(gòu)
50：第一電極??????????????????????60：第二電極
41：阱層??????????????????????????42：阻障層
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