[發(fā)明專利]一種解決硅片單面擴(kuò)散背面反滲的方法在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 202010913298.0 | 申請日： | 2020-09-03 |
| 公開（公告）號： | CN112002669A | 公開（公告）日： | 2020-11-27 |
| 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人： | 汪良恩;王錫康;姜蘭虎;孫愛華 | 申請（專利權(quán)）人： | 山東芯源微電子有限公司 |
| 主分類號： | H01L21/683 | 分類號： | H01L21/683;H01L21/225 |
| 代理公司： | 濟(jì)南瑞宸知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 37268 | 代理人： | 呂艷芹 |
| 地址： | 250200 山東*** | 國省代碼： | 山東;37 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 一種 解決 硅片 單面 擴(kuò)散 背面 方法 | ||
【權(quán)利要求書】：
1.一種解決硅片單面擴(kuò)散背面反滲的方法，包括硅片(2)和貼緊在硅片(2)擴(kuò)散面的擴(kuò)散源(1)，其特征在于：還包括貼緊在硅片(2)被保護(hù)面的隔離膜(3)，所述隔離膜(3)由氧化鋁粉料和粘合劑混合成的漿料噴涂沉淀干燥制成的膜狀物，隔離膜(3)中的的氧化鋁粉料吸收反型的氣氛。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種解決硅片單面擴(kuò)散背面反滲的方法，其特征在于：所述粘合劑為丙烯酸樹脂粘合劑。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種解決硅片單面擴(kuò)散背面反滲的方法，其特征在于：所述隔離膜(3)與硅片的尺寸完全相同或比硅片的尺寸大0.5-3毫米。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種解決硅片單面擴(kuò)散背面反滲的方法，其特征在于：所述氧化鋁粉料的粒徑為200-2000納米。
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H01 基本電氣元件
H01L 半導(dǎo)體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導(dǎo)體或固體器件或其部件的方法或設(shè)備
H01L21-02 .半導(dǎo)體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個(gè)器件所使用的除半導(dǎo)體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導(dǎo)體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導(dǎo)體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內(nèi)或其上形成的多個(gè)固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
H01L 半導(dǎo)體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導(dǎo)體或固體器件或其部件的方法或設(shè)備
H01L21-02 .半導(dǎo)體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個(gè)器件所使用的除半導(dǎo)體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導(dǎo)體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導(dǎo)體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內(nèi)或其上形成的多個(gè)固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
