[發明專利]顯示裝置在審
| 申請號: | 202010911791.9 | 申請日: | 2017-02-08 |
| 公開(公告)號: | CN112038376A | 公開(公告)日: | 2020-12-04 |
| 發明(設計)人: | 丸山哲 | 申請(專利權)人: | 株式會社日本顯示器 |
| 主分類號: | H01L27/32 | 分類號: | H01L27/32 |
| 代理公司: | 北京市金杜律師事務所 11256 | 代理人: | 閆劍平 |
| 地址: | 日本*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
| 權利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 顯示裝置 | ||
1.一種顯示裝置,其特征在于,具有:
像素電極,其設于用于顯示圖像的顯示區域;
共用電極,其配置在所述像素電極的上方;
發光元件,其夾設在所述像素電極與所述共用電極之間;
第一薄膜晶體管,其配置在位于所述顯示區域的外側的周邊區域;以及
配置在所述顯示區域的第二薄膜晶體管和導電層,
所述第一薄膜晶體管具有由硅構成的第一溝道層,
所述第二薄膜晶體管具有由氧化物半導體構成的第二溝道層,
所述第二薄膜晶體管與所述第一薄膜晶體管相比位于上層,
所述導電層具有電阻比所述第一溝道層的電阻低的硅層,并且與所述第一薄膜晶體管的所述第一溝道層位于同一層且與所述第二薄膜晶體管相比位于下層。
2.根據權利要求1所述的顯示裝置,其特征在于,
設于所述顯示區域的所述第二薄膜晶體管以控制向所述像素電極供給的電流的供給量的方式被連接。
3.根據權利要求1所述的顯示裝置,其特征在于,
所述導電層具有與所述第二薄膜晶體管整體重疊的大小。
4.根據權利要求1所述的顯示裝置,其特征在于,
在所述顯示區域還包括第二導電層,將所述導電層作為電容器的一個電極,所述第二導電層在與所述導電層相對的位置成為另一個電極,
所述第二導電層與所述第一薄膜晶體管的所述第一柵電極位于同一層,且與所述第二薄膜晶體管相比位于下層。
5.一種顯示裝置,其特征在于,
像素電極,其設于用于顯示圖像的顯示區域;
共用電極,其配置在所述像素電極的上方;
發光元件,其夾設在所述像素電極與所述共用電極之間;
第一薄膜晶體管,其配置在位于所述顯示區域的外側的周邊區域;以及
配置在所述顯示區域的第二薄膜晶體管,
所述第一薄膜晶體管具有由硅構成的第一溝道層和與所述第一溝道層相對的第一柵電極,
所述第二薄膜晶體管具有由氧化物半導體構成的第二溝道層和與所述第二溝道層相對的第二柵電極,
所述第二薄膜晶體管與所述第一薄膜晶體管相比位于上層,
還具有將所述第一薄膜晶體管上方的層貫穿、且與所述第一溝道層連接的接觸插塞,
還包括金屬層,該金屬層以與所述第一薄膜晶體管的所述第一溝道層的至少端部重疊的方式與所述第二薄膜晶體管的所述第二柵電極在同一層以相同的材料構成,
所述金屬層以與所述接觸插塞成為一體的方式形成。
6.根據權利要求5所述的顯示裝置,其特征在于,
還具有導電層,該導電層與所述第一薄膜晶體管的所述第一溝道層位于同一層,且與所述第二薄膜晶體管相比位于下層,
所述導電層具有電阻比所述第一溝道層的電阻低的硅層。
7.根據權利要求5所述的顯示裝置,其特征在于,
設于所述顯示區域的所述第二薄膜晶體管以控制向所述像素電極供給的電流的供給量的方式被連接。
8.根據權利要求6所述的顯示裝置,其特征在于,
所述導電層具有與所述第二薄膜晶體管整體重疊的大小。
9.根據權利要求5所述的顯示裝置,其特征在于,
在所述顯示區域還包括第二導電層,將所述導電層作為電容器的一個電極,所述第二導電層在與所述導電層相對的位置成為另一個電極,
所述第二導電層與所述第一薄膜晶體管的所述第一柵電極位于同一層,且與所述第二薄膜晶體管相比位于下層。
該專利技術資料僅供研究查看技術是否侵權等信息,商用須獲得專利權人授權。該專利全部權利屬于株式會社日本顯示器,未經株式會社日本顯示器許可,擅自商用是侵權行為。如果您想購買此專利、獲得商業授權和技術合作,請聯系【客服】
本文鏈接:http://www.szxzyx.cn/pat/books/202010911791.9/1.html,轉載請聲明來源鉆瓜專利網。
- 同類專利
- 專利分類
H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





