[發明專利]顯示器件及其制作方法在審
| 申請號: | 202010911135.9 | 申請日: | 2020-09-02 |
| 公開(公告)號: | CN111900193A | 公開(公告)日: | 2020-11-06 |
| 發明(設計)人: | 吳永偉 | 申請(專利權)人: | 深圳市華星光電半導體顯示技術有限公司 |
| 主分類號: | H01L27/32 | 分類號: | H01L27/32;H01L51/52;H01L51/56 |
| 代理公司: | 深圳紫藤知識產權代理有限公司 44570 | 代理人: | 劉泳麟 |
| 地址: | 518132 廣東省深*** | 國省代碼: | 廣東;44 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 顯示 器件 及其 制作方法 | ||
本發明公開了一種顯示器件及其制作方法,顯示器件包括:發光背板、色彩轉換層和彩膜層,色彩轉換層設置在發光背板上,色彩轉換層包括紅光轉換單元、綠光轉換單元和開口單元,其中,紅光轉換單元和/或綠光轉換單元包括鈣鈦礦發光材料和層疊設置在鈣鈦礦發光材料中的散射粒子,在從色彩轉換層靠近發光背板的一面指向遠離發光背板的一面的方向的垂直方向上,所述散射粒子的折射率逐漸增大;彩膜層設置在色彩轉換層上,彩膜層包括間隔排列的紅色色阻塊、藍色色阻塊和綠色色阻塊,其中,紅色色阻塊、綠色色阻塊、藍色色阻塊分別與紅光轉換單元、綠光轉換單元、開口單元對應設置。
技術領域
本發明涉及顯示技術領域,尤其涉及一種顯示器件及其制作方法。
背景技術
OLED(Organic Light Emitting Diode,有機發光二極管)顯示器件,也稱為有機電致發光顯示器件,由于制備工藝簡單、成本低、功耗低、發光亮度高、工作溫度適應范圍廣、體積輕薄、響應速度快,而且易于實現彩色顯示和大屏幕顯示、易于實現和集成電路驅動器相匹配、易于實現柔性顯示,因而具有廣闊的應用前景。Pe-OLED(Perovskite OrganicLight Emitting Diode,鈣鈦礦有機發光二極管)是一種新型的自發光二極管,與OLED相比,Pe-OLED具有色純度高、及材料成本低等優點。與QD-OLED(Quantum Dot Organic LightEmitting Diode)發光器件相比,鈣鈦礦發光材料的開發成本比量子點材料的開發成本低,且鈣鈦礦發光材料不需要復雜的合成和修飾過程。因此,Pe-OLED顯示器件是一種具有巨大的應用前景的高端顯示器件。
然而,以鈣鈦礦發光材料作為色彩轉換層時存在光吸收和光提取率不佳等因素,導致色彩轉換層的光轉換效率偏低。較低的光轉換效率直接影響顯示器件的能量利用和亮度,不利于高性能顯示器件的進一步發展。
故,有必要提出一種新的技術方案,以解決上述技術問題。
發明內容
本發明實施例提供一種顯示器件及其制作方法,用于改善顯示器件中色彩轉換層的光轉換效率偏低的問題。
本發明實施例提供一種顯示器件,包括:
發光背板;
色彩轉換層,所述色彩轉換層設置在所述發光背板上,所述色彩轉換層包括紅光轉換單元、綠光轉換單元和開口單元,其中,所述紅光轉換單元和/或所述綠光轉換單元包括鈣鈦礦發光材料和層疊設置在所述鈣鈦礦發光材料中的散射粒子,在從所述色彩轉換層靠近所述發光背板的一面指向遠離所述發光背板的一面的方向的垂直方向上,所述散射粒子的折射率逐漸增大;
彩膜層,所述彩膜層設置在所述色彩轉換層上,所述彩膜層包括間隔排列的紅色色阻塊、藍色色阻塊和綠色色阻塊,其中,所述紅色色阻塊、所述綠色色阻塊、所述藍色色阻塊分別與所述紅光轉換單元、所述綠光轉換單元、所述開口單元對應設置。
在本發明提供的顯示器件中,所述散射粒子至少包括第一類散射粒子和第二類散射粒子,且所述第一類散射粒子的折射率小于所述第二類散射粒子的折射率,其中,所述第一類散射粒子設置于所述紅光轉換單元和/或所述綠光轉換單元靠近所述發光背板的一面,所述第二類散射粒子設置于所述紅光轉換單元和/或所述綠光轉換單元遠離所述發光背板的一面。
在本發明提供的顯示器件中,所述第一類散射粒子包括無機散射粒子和有機散射粒子,所述第二類散射粒子包括無機散射粒子和有機散射粒子。
在本發明提供的顯示器件中,所述無機散射粒子包括二氧化鈦、二氧化鋯、二氧化釩、二氧化錫、三氧化二鋁和鈦酸鋇中的至少一種,所述有機散射粒子包括有機硅橡膠、聚苯乙烯和聚碳酸酯中的至少一種。
在本發明提供的顯示器件中,所述無機散射粒子的截面寬度和所述有機散射粒子的截面寬度介于10納米至1200納米之間,且所述無機散射粒子的截面寬度小于所述有機散射粒子的截面寬度。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





