[發(fā)明專利]一種納米晶石墨納米孔檢測芯片及其制備方法和應(yīng)用在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 202010910348.X | 申請日： | 2020-09-02 |
| 公開（公告）號： | CN112014430A | 公開（公告）日： | 2020-12-01 |
| 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人： | 王赟姣;王德強(qiáng);王亮;劉暢;程敏;周大明;何石軒;謝婉誼;方紹熙;殷博華;石彪;田榮;袁家虎 | 申請（專利權(quán)）人： | 中國科學(xué)院重慶綠色智能技術(shù)研究院 |
| 主分類號： | G01N27/00 | 分類號： | G01N27/00;B82Y15/00;B82Y40/00;C12Q1/6869 |
| 代理公司： | 北京同恒源知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11275 | 代理人： | 趙榮之 |
| 地址： | 400714 *** | 國省代碼： | 重慶;50 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 一種 納米 晶石 檢測 芯片 及其 制備 方法 應(yīng)用 | ||
1.一種納米晶石墨納米孔檢測芯片，其特征在于，所述檢測芯片中含有具有納米孔的納米晶石墨薄膜。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的檢測芯片，其特征在于，所述納米孔的直徑為0.5～20nm。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的檢測芯片，其特征在于，所述納米晶石墨薄膜的厚度為0.35～35nm。
4.根據(jù)權(quán)利要求1～3任一項(xiàng)所述的檢測芯片，其特征在于，所述檢測芯片還含有具有開孔的支撐基片，所述納米晶石墨薄膜位于所述支撐基片上方，所述納米孔位于所述開孔上方。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的檢測芯片，其特征在于，所述開孔的直徑為30～1000nm。
6.根據(jù)權(quán)利要求4所述的檢測芯片，其特征在于，所述支撐基片的材料包括氧化硅、氮化硅、石英、玻璃或聚甲基丙烯酸甲酯中的任意一種。
7.權(quán)利要求1～6任一項(xiàng)所述的檢測芯片的制備方法，其特征在于，所述制備方法包括以下步驟：
(1)將支撐基片依次放入去離子水中浸泡至少10min、乙醇中浸泡至少10min和食人魚洗液中浸泡10～30min后取出；
(2)對所述支撐基片進(jìn)行加工得到具有開孔的支撐基片；
(3)在所述具有開孔的支撐基片上生長具有納米孔的納米晶石墨薄膜或?qū)⒓{米晶石墨薄膜轉(zhuǎn)移到所述具有開孔的支撐基片上進(jìn)行加工形成納米孔。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的檢測芯片的制備方法，其特征在于，步驟(2)中所述加工的方法為：聚焦離子束鉆孔或透射電子顯微鏡鉆孔。
9.根據(jù)權(quán)利要求7所述的檢測芯片的制備方法，其特征在于，步驟(3)中所述生長通過化學(xué)氣相沉積法或高溫碳化法進(jìn)行；
所述化學(xué)氣相沉積法為：以甲烷為氣源、以20℃/min的升溫速率升溫至850～1500℃進(jìn)行氣相沉積；
所述高溫碳化法為：以光刻膠為碳源、以10℃/min的升溫速率升溫至1000℃進(jìn)行碳化；
步驟(3)所述加工的具體方法為：通過介電擊穿、聚焦離子束或透射電子顯微鏡在所述納米晶石墨薄膜上鉆孔形成納米孔。
10.權(quán)利要求1～6任一項(xiàng)所述的檢測芯片在檢測生物大分子方面的應(yīng)用。
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