[發明專利]一種銻基光電探測器表面漏電流處理方法有效
| 申請號： | 202010910046.2 | 申請日： | 2020-09-02 |
| 公開（公告）號： | CN112186071B | 公開（公告）日： | 2022-06-28 |
| 發明（設計）人： | 邢偉榮;溫濤;劉銘;李海燕 | 申請（專利權）人： | 中國電子科技集團公司第十一研究所 |
| 主分類號： | H01L31/18 | 分類號： | H01L31/18;H01L31/109;H01L31/0352 |
| 代理公司： | 工業和信息化部電子專利中心 11010 | 代理人： | 羅丹 |
| 地址： | 100015*** | 國省代碼： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 光電 探測器 表面 漏電 處理 方法 | ||
1.一種銻基光電探測器表面漏電流處理方法，其特征在于，包括：
將經過預處理之后的晶片通過預先設置好工藝參數的刻蝕設備進行刻蝕；
對刻蝕后的晶片通過預先配制的腐蝕溶液進行腐蝕處理；
在腐蝕處理后晶片的像元表面鍍上預設電介質層，以完成器件表面漏電流處理；
對刻蝕后的晶片通過預先配制的腐蝕液進行腐蝕處理之前，還包括：
去除刻蝕后晶片上的冷卻油；
通過紫外光以及臭氧對晶片進行氧化處理；
將氧化處理后的晶片置于預先配制的酸溶液中，以去除所述晶片上的氧化層；
預先配制腐蝕溶液，包括：
將檸檬酸腐蝕液、磷酸腐蝕液、雙氧水和水按照預設比例配制成腐蝕溶液；
在腐蝕處理后晶片的像元表面鍍上預設電介質層，包括：
通過化學氣相沉積設備基于預設鍍膜參數在腐蝕處理后晶片的像元表面鍍上預設電介質層。
2.如權利要求1所述的方法，其特征在于，通過預先設置好工藝參數的刻蝕設備進行刻蝕之前，還包括：
對光刻后的晶片表面進行清潔處理；
在將清潔處理之后的晶片裝入刻蝕設備的進樣室；
將所述刻蝕設備的進樣室進行抽真空處理。
3.如權利要求1所述的方法，其特征在于，所述工藝參數至少包括如下之一：
刻蝕氣體流量、刻蝕功率、工作壓力、氦氣壓力和刻蝕時間。
4.如權利要求1所述的方法，其特征在于，所述鍍膜參數至少包括如下之一：鍍膜溫度、鍍膜氣體流量、鍍膜壓力、射頻功率和沉積時間。
5.如權利要求1所述的方法，其特征在于，通過化學氣相沉積設備基于預設鍍膜參數在腐蝕處理后晶片的像元表面鍍上預設電介質層，包括：
通過化學氣相沉積設備基于預設鍍膜參數在腐蝕處理后晶片的像元表面依次鍍上預設厚度的二氧化硅膜和氮氧化硅膜。
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H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L31-00 對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射，或微粒輻射敏感的，并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的，或者專門適用于通過這樣的輻射進行電能控制的半導體器件；專門適用于制造或處理這些半導體器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半導體本體為特征的
H01L31-04 .用作轉換器件的
H01L31-08 .其中的輻射控制通過該器件的電流的，例如光敏電阻器
H01L31-12 .與如在一個共用襯底內或其上形成的，一個或多個電光源，如場致發光光源在結構上相連的，并與其電光源在電氣上或光學上相耦合的
