[發(fā)明專利]電磁屏蔽復(fù)合膜布及制備方法有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 202010909722.4 | 申請(qǐng)日: | 2020-09-02 |
| 公開(公告)號(hào): | CN111996795B | 公開(公告)日: | 2023-01-03 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 安叢舉 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 江西龍?zhí)┬虏牧瞎煞萦邢薰?/a> |
| 主分類號(hào): | D06M11/83 | 分類號(hào): | D06M11/83;D06M15/61;D06M11/74;D06M13/292;C25D3/64;C25D5/54;C25D9/02;H05K9/00 |
| 代理公司: | 北京金智普華知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11401 | 代理人: | 楊采良 |
| 地址: | 341200 *** | 國(guó)省代碼: | 江西;36 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 電磁 屏蔽 復(fù)合 制備 方法 | ||
1.一種電磁屏蔽復(fù)合膜布的制備方法,其特征在于,所述電磁屏蔽復(fù)合膜布
包括:
載體基布;
導(dǎo)電層,位于載體基布一側(cè)面;
合金層,位于導(dǎo)電層遠(yuǎn)離載體基布一側(cè)面;
其中,所述合金層為Ag-Ce合金層,所述導(dǎo)電層為石墨烯導(dǎo)電層;
還包括:高分子聚合物層,所述高分子聚合物層位于合金層遠(yuǎn)離載體基布一側(cè)面,所述高分子聚合物層內(nèi)摻雜有二氧化鈦;
所述磁屏蔽復(fù)合膜布的制備方法,包括:
提供一載體基布;
將石墨烯加入至植酸溶液中分散得到植酸-石墨烯分散液,將所述載體基布浸泡于所述植酸-石墨烯分散液中,干燥后在所述載體基布表面形成導(dǎo)電層;
將Ag、Ce沉積在導(dǎo)電層上即制備得到Ag-Ce合金層,制備得到Ag-Ce合金層具體為:
配置含有Ag+、Ce4+的電解液,將表面形成導(dǎo)電層的載體基布置于電解液中并作為陰極,將Ag+、Ce4+電沉積在導(dǎo)電層表面即得到Ag-Ce合金層;
所述電解液中Ag+和Ce4+的摩爾濃度之和為0.01~0.05mol/L,其中,Ag+和Ce4+的摩爾比為50~100:1;
電沉積為恒電流電沉積,且電流密度為3.5~4.5A/dm2 ,電沉積過程中控制pH為9~10;
導(dǎo)電聚合物單體包括吡咯、苯胺、噻吩中的一種或幾種;
沉積液中導(dǎo)電聚合物的濃度為0.1~0.3mol/L;于恒電流密度為1~3mA/cm2 下進(jìn)行電化學(xué)沉積。
2.如權(quán)利要求1所述的電磁屏蔽復(fù)合膜布的制備方法,其特征在于,所述載體基布的材料為棉、麻、絲或化纖中的一種或幾種。
3.如權(quán)利要求1所述的電磁屏蔽復(fù)合膜布的制備方法,其特征在于,將所述載體基布浸泡于所述植酸-石墨烯分散液中之前還包括:將載體基布用堿液處理后,清洗,并干燥;然后再將載體基布浸泡在質(zhì)量分?jǐn)?shù)為5~10%的聚乙烯亞胺溶液中浸泡3~5min,然后于80~100℃下干燥5~10min。
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D06M 對(duì)纖維、紗、線、織物、羽毛或由這些材料制成的纖維制品進(jìn)行D06類內(nèi)其他類目所不包括的處理
D06M11-00 用無機(jī)物或其配合物處理纖維、紗、線、織物或這些材料制成的纖維制品;和機(jī)械處理相結(jié)合的處理,如絲光
D06M11-01 .用氫、水或重水;用金屬氫化物或其配合物;用硼烷、二硼烷、硅烷、二硅烷、膦、二膦、、二、胂、二胂或它們的配合物
D06M11-07 .用鹵素;用氫鹵酸或其鹽,用氧化物或鹵素的含氧酸或其鹽
D06M11-32 .用氧、臭氧、臭氧化物、氧化物、氫氧化物或過化合物;從具有兩性元素—氧鍵的陰離子衍生的鹽
D06M11-51 .用硫、硒、碲、釙或其化合物
D06M11-58 .用氮或其化合物;如硝酸鹽





