[發明專利]一種基于跨導線性環路技術的高階帶隙基準電路

有效

• 申請號: 202010909584.X
• 申請日: 2020-09-02
• 公開（公告）號: CN112034921B
• 公開（公告）日: 2022-05-03
• 發明（設計）人: 周前能;熊素雅;李紅娟
• 申請（專利權）人: 重慶郵電大學
• 主分類號: G05F1/567
• 分類號: G05F1/567;G05F1/575
• 代理公司: 重慶市恒信知識產權代理有限公司 50102
• 代理人: 陳棟梁

1.一種基于跨導線性環路技術的高階帶隙基準電路，其特征在于，包括：啟動電路(1)、一階帶隙基準電路(2)、高溫區域分段補償電路(3)及低溫區域分段平方電流產生電路(4)，其中，所述一階帶隙基準電路(2)的電信號輸出端分別接啟動電路(1)的信號輸入端、高溫區域分段補償電路(3)的信號輸入端及低溫區域分段平方電流產生電路(4)的信號輸入端，所述高溫區域分段補償電路(3)及所述低溫區域分段平方電流產生電路(4)的信號輸出端分別接所述一階帶隙基準電路(2)的信號輸入端，所述啟動電路(1)的信號輸出端接所述一階帶隙基準電路(2)的啟動信號輸入端；所述啟動電路(1)為所述一階帶隙基準電路(2)提供啟動信號，所述一階帶隙基準電路(2)產生一階帶隙基準電壓，所述高溫區域分段補償電路(3)在溫度T大于參考溫度T₁區域產生正溫度系數的分段曲率電流I₁₄并為一階帶隙基準電壓提供補償電壓V_NL1，所述低溫區域分段平方電流產生電路(4)在溫度T小于參考溫度T₂區域產生分段平方電流I₄₃并為一階帶隙基準電壓提供補償電壓V_NL2；電壓V_NL1以及電壓V_NL2分別對所述一階帶隙基準電路(2)產生一階帶隙基準電壓進行高階溫度補償；

所述低溫區域分段平方電流產生電路(4)包括：PMOS管M18、PMOS管M21、PMOS管M22、PMOS管M23、PMOS管M24、PMOS管M27、PMOS管M28、PMOS管M29、PMOS管M34、PMOS管M35、PMOS管M40、PMOS管M41、NMOS管M19、NMOS管M20、NMOS管M25、NMOS管M26、NMOS管M30、NMOS管M31、NMOS管M32、NMOS管M33、NMOS管M36、NMOS管M37、NMOS管M38、NMOS管M39、NMOS管M42以及NMOS管M43，其中PMOS管M18的源極分別與PMOS管M21的源極、PMOS管M22的源極、PMOS管M23的源極、PMOS管M24的源極、PMOS管M27的源極、PMOS管M28的源極、PMOS管M29的源極、PMOS管M34的源極、PMOS管M35的源極、PMOS管M40的源極、PMOS管M41的源極以及外部電源VDD相連，PMOS管M18的漏極分別與NMOS管M19的漏極、NMOS管M19的柵極以及NMOS管M20的柵極相連，NMOS管M19的源極分別與NMOS管M20的源極、NMOS管M25的源極、NMOS管M26的源極、NMOS管M32的源極、NMOS管M33的源極、NMOS管M38的源極、NMOS管M39的源極、NMOS管M43的源極、NMOS管M42的源極以及外部地GND相連，PMOS管M21的漏極分別與PMOS管M22的漏極、PMOS管M22的柵極、PMOS管M28的柵極以及NMOS管M20的漏極相連，PMOS管M23的漏極分別與PMOS管M24的漏極、NMOS管M25的柵極、NMOS管M25的漏極以及NMOS管M26的柵極相連，PMOS管M27的柵極分別與PMOS管M27的漏極、PMOS管M29的柵極、PMOS管M34的柵極、PMOS管M35的柵極以及NMOS管M26的漏極相連，PMOS管M28的漏極分別與NMOS管M31的源極、NMOS管M36的源極、NMOS管M33的漏極、NMOS管M38的漏極、NMOS管M38的柵極以及NMOS管M39的柵極相連，PMOS管M29的漏極分別與NMOS管M30的漏極、NMOS管M30的柵極以及NMOS管M31的柵極相連，NMOS管M30的源極分別與NMOS管M32的漏極、NMOS管M32的柵極、NMOS管M33的柵極、NMOS管M37的源極以及NMOS管M39的漏極相連，PMOS管M34的漏極分別與NMOS管M36的漏極、NMOS管M36的柵極以及NMOS管M37的柵極相連，PMOS管M35的漏極分別與PMOS管M40的柵極、PMOS管M40的漏極、PMOS管M41的柵極、NMOS管M31的漏極以及NMOS管M37的漏極相連，PMOS管M41的漏極分別與NMOS管M42的漏極、NMOS管M42的柵極以及NMOS管M43的柵極相連。