[發(fā)明專利]一種微系統(tǒng)相變微冷卻方法及裝置有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 202010909535.6 | 申請日: | 2020-09-02 |
| 公開(公告)號: | CN112071818B | 公開(公告)日: | 2022-06-10 |
| 發(fā)明(設計)人: | 魏濤;錢吉裕;黃豪杰;崔凱 | 申請(專利權(quán))人: | 中國電子科技集團公司第十四研究所 |
| 主分類號: | H01L23/473 | 分類號: | H01L23/473;H01L23/427 |
| 代理公司: | 北京律譜知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11457 | 代理人: | 孫紅穎 |
| 地址: | 210039 江*** | 國省代碼: | 江蘇;32 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 系統(tǒng) 相變 冷卻 方法 裝置 | ||
本發(fā)明涉及一種微系統(tǒng)相變微冷卻方法及裝置,微冷卻裝置包括微換熱器、封裝基板、3D芯片基板,3D芯片基板和微換熱器分別安裝在封裝基板的正反面,在3D芯片基板內(nèi)陣列形式排布多個3D堆棧芯片;封裝基板為單層結(jié)構(gòu),內(nèi)部設有集/分液流道,集/分液流道包括微換熱器至3D芯片基板流道和3D芯片基板至微換熱器流道;3D堆棧芯片產(chǎn)生的熱量經(jīng)3D芯片基板、封裝基板內(nèi)流道匯合后進入微換熱器,和系統(tǒng)冷卻外循環(huán)進行換熱后冷凝,從而實現(xiàn)對3D堆棧芯片的相變冷卻循環(huán)。本發(fā)明實現(xiàn)了微系統(tǒng)的二級冷卻循環(huán),提高了微系統(tǒng)相變冷卻循環(huán)的集成度,容雜質(zhì)能力,隔離度和可靠性。
技術(shù)領域
本發(fā)明涉及微系統(tǒng)相變冷卻技術(shù)領域,具體涉及一種微系統(tǒng)相變微冷卻方法及裝置。
背景技術(shù)
隨著SIP、SOC等架構(gòu)的微組裝/封裝技術(shù)的發(fā)展,以雷達、通信、電子戰(zhàn)為代表的主動陣列射頻電子應用逐步向射頻微系統(tǒng)的方向發(fā)展,同時以GaN為代表的三代半導體功率器件性能不斷提升,微波功率芯片的熱流密度將很快超過1kW/cm2,小型化、多點熱源、高熱流密度成為射頻微系統(tǒng)熱管理的主要挑戰(zhàn)。可采用散熱方式包括:遠程散熱、近結(jié)散熱。
遠程散熱,作為傳統(tǒng)散熱模式,散熱架構(gòu)一般為功率芯片焊接(膠接) 到基板,再焊接到封裝殼體,最后通過熱界面材料壓接到冷板上。散熱路徑上依次存在焊接、傳導、界面、對流等多層熱阻。在DARPA的TMT計劃綜述文獻Advanced thermal mangementtechnologies for defense electronics中,提出了針對性的改進提升措施,包括低熱阻型焊/膠料(納米銀膠等)、高導熱基板/封裝殼體(相變均溫殼體等)、低熱阻熱界面材料(銅納米彈簧、碳納米管等)、強化傳熱冷板(微通道、射流冷板等),可以一定程度提高散熱能力。但是,遠程散熱方式存在天然的傳熱路徑長、熱阻高,體積和能耗大等缺點,使得該散熱方式已接近能力極限,最高約 500W/cm2,無法滿足高功率和小型化的散熱需求。
近結(jié)散熱,是一種新的散熱方式。主要思路為將冷端從冷板向功率芯片封裝或基板轉(zhuǎn)移,縮短傳熱路徑從而減小傳熱熱阻,提升散熱能力,根據(jù)冷端轉(zhuǎn)移的位置,可以分為封裝散熱和基板散熱。封裝散熱,采用傳統(tǒng)的一次冷卻循環(huán),IJ Research公司在文獻Thermal management technology 中,提出將冷卻液(傳統(tǒng)的乙二醇水溶液等)通入金剛石/銅,鋁碳化硅等高導熱的電子封裝殼體,取消了封裝和冷板之間一層較大的接觸熱阻,在封裝殼體流道內(nèi)加工0.1mm級微流道,散熱能力可超過500W/cm2,而進一步提升散熱能力比較困難;基板散熱,DARPA的ICECOOL計劃相關文獻 Embedded cooling for RF andDigital Electronics中提出,通過將冷卻介質(zhì)引入芯片基板或襯底,包括硅/鉬銅基板、SiC/金剛石襯底等,考慮傳統(tǒng)冷卻液存在腐蝕性和導電性,在距芯片如此近距離內(nèi)一般使用絕緣相變類冷卻介質(zhì),如Novec HFE電子氟化液等,由于更加靠近功率芯片熱源,進一步取消了封裝殼體的傳導熱阻和焊接熱阻,在基板內(nèi)加工0.01mm級的微流道獲得足夠的換熱面積,散熱能力更高,可實現(xiàn)1000W/cm2水平,滿足大功率散熱的需求。
但是,采用一級循環(huán)的基板散熱存在一些明顯的問題。一是容雜質(zhì)能力差。基板微流道很細,而冷卻循環(huán)系統(tǒng)體積大,連接點多,難免存在外來或中間雜質(zhì),容易造成基板流道堵塞,導致芯片過熱失效;二是末端體積大。絕緣相變類冷卻介質(zhì)相比傳統(tǒng)冷卻液,導熱率低一個量級,換熱性能不高,需要更大體積的冷卻末端換熱器。三是可靠性低。采用一級循環(huán),對于大型、復雜的陣列式微系統(tǒng),一旦出現(xiàn)單點泄漏,整個系統(tǒng)全部受影響,難以隔離,造成可靠性降低。因此,對于3D堆棧芯片陣列的微系統(tǒng)散熱問題,如要采用近結(jié)散熱技術(shù),亟需解決冷卻系統(tǒng)隔離封閉、可靠性提升等問題。
發(fā)明內(nèi)容
針對上述現(xiàn)有技術(shù)中存在的不足,本發(fā)明提供了一種微系統(tǒng)相變微冷卻方法及裝置,目的在于針對近結(jié)散熱技術(shù)應用于微系統(tǒng)散熱的缺點和不足,在傳統(tǒng)的一級系統(tǒng)冷卻循環(huán)外,增加一級微系統(tǒng)相變冷卻循環(huán),從而提供一種完全隔離、封閉的、無泵驅(qū)的二級冷卻循環(huán)方法和相關裝置,提高近結(jié)散熱技術(shù)的工程適用性和可靠性。
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