[發明專利]創建氣隙的方法

在審

• 申請號: 202010909034.8
• 申請日: 2018-02-13
• 公開（公告）號: CN112242345A
• 公開（公告）日: 2021-01-19
• 發明（設計）人: 帕特里克·A·范克利蒙布特;薩沙撒耶·瓦拉達拉簡;巴特·J·范施拉芬迪克
• 申請（專利權）人: 朗姆研究公司
• 主分類號: H01L21/764
• 分類號: H01L21/764;H01L21/3065
• 代理公司: 上海勝康律師事務所 31263
• 代理人: 樊英如;張靜

1.一種處理半導體襯底的方法，所述方法包括：

(a)將所述半導體襯底順序地暴露于含錫前體和含氧前體，以沉積SnO₂并形成具有暴露的SnO₂層的半導體襯底；

(b)在低于約100℃的溫度下蝕刻所述SnO₂層，其中所述蝕刻包括將所述半導體襯底暴露于在包含至少約50％的H₂的工藝氣體中形成的等離子體。

2.根據權利要求1所述的方法，其中所述含錫前體具有通式R_x-Sn-A_4-x，其中R選自由氫、烷基、烯基和炔基組成的組，且A＝YR’_z，其中Y是N，R’選自由烷基、烯基和炔基組成的組，x是0、1、2或3，且z是2。

3.根據權利要求2所述的方法，其中A＝YR’_z中的每一個R’是相同的。

4.根據權利要求3所述的方法，其中所述含錫前體是四(二甲基氨基)錫。

5.根據權利要求2所述的方法，其中A＝YR’_z中的每一個R’是不同的。

6.根據權利要求5所述的方法，其中所述含錫前體是四(乙基甲基氨基)錫。

7.根據權利要求2所述的方法，其中所述含錫前體選自由N²,N³-二叔丁基-丁烷-2,3-二氨基錫(II)和1,3-雙(1,2甲基乙基)-4,5-二甲基-(4R,5R)-1,3,2-二氮雜錫烷-2-亞基組成的組。

8.根據權利要求1所述的方法，其中所述含錫前體是烷基取代的錫酰胺。

9.根據權利要求1所述的方法，其中所述含氧前體選自由氧、臭氧、水、過氧化氫和NO組成的組。

10.根據權利要求1所述的方法，其中沉積所述SnO₂層包括在將所述半導體襯底暴露于所述含錫前體和將所述襯底暴露于所述含氧前體之間用惰性氣體吹掃處理室。

11.根據權利要求1所述的方法，其中沉積所述SnO₂層是在使所述含錫前體和所述含氧前體維持獨立于氣相的處理參數下進行的。

12.根據權利要求11所述的方法，其中所述處理參數是在約20℃和約500℃之間的處理室的溫度。

13.根據權利要求11所述的方法，其中所述處理參數是所述含錫前體和所述含氧前體各自獨立地在約10sccm至約10000sccm之間流動的流率。

14.根據權利要求1所述的方法，其中，所述含錫前體和所述含氧前體各自獨立地與載氣組合，所述載氣選自由氦、氬和氮組成的組。

15.根據權利要求1所述的方法，其中，使用至少一種化學氣相沉積工藝來進行所述SnO2層的沉積，所述至少一種化學氣相沉積工藝選自由原子層沉積、等離子體增強的原子層沉積和等離子體增強的化學氣相沉積組成的組。

16.一種用于半導體處理的裝置，所述裝置包括至少一個處理室和包含程序指令的控制器，所述程序指令被配置為引起以下步驟：

(i)將所述半導體襯底順序地暴露于含錫前體和含氧前體，以沉積SnO₂并形成具有暴露的SnO₂層的半導體襯底；

(ii)在低于約100℃的溫度下蝕刻所述SnO₂層，其中所述蝕刻包括將所述半導體襯底暴露于在包含至少約50％的H₂的工藝氣體中形成的等離子體。