[發明專利]一種LED芯片的封裝工藝

有效

• 申請號: 202010907912.2
• 申請日: 2020-09-02
• 公開（公告）號: CN111969092B
• 公開（公告）日: 2022-04-22
• 發明（設計）人: 麥家通;戴軻
• 申請（專利權）人: 安晟技術（廣東）有限公司
• 主分類號: H01L33/54
• 分類號: H01L33/54;H01L33/50;H01L25/075;H01L33/56
• 代理公司: 中山市銘洋專利商標事務所(普通合伙) 44286
• 代理人: 許湘如

1.一種LED芯片的封裝工藝，其特征在于，包括以下步驟：

S1、提供載體，以及排布在所述載體上的LED芯片的矩陣陣列，相鄰的所述LED芯片之間具有間隙；

S2、采用防沉降熒光膠填充所述間隙，所述防沉降熒光膠控制在與LED芯片的頂面平齊的厚度，烘干固化所述防沉降熒光膠；

S3、于所述LED芯片的矩陣陣列上涂覆速干型熒光膠，以覆蓋在LED芯片的頂面，烘干固化所述速干型熒光膠；

S4、在固化后的速干型熒光膠上復合AB膠保護膜；

S5、切割所述LED芯片的矩陣陣列，得到LED芯片封裝件；

所述防沉降熒光膠由85～115重量份的AB膠、76～83重量份的熒光粉、0.3～0.8重量份的防沉降粉、1～3重量份的擴散粉混合制得；

所述速干型熒光膠由85～115重量份的AB膠、76～83重量份的熒光粉和150～280重量份的稀釋劑混合制得。

2.根據權利要求1所述的LED芯片的封裝工藝，其特征在于，步驟S2的烘干固化的條件為100-120℃的溫度下，預熱0.15-0.20小時，然后升溫至125-150℃，烘干固化2.5-3.5小時。

3.根據權利要求1所述的LED芯片的封裝工藝，其特征在于，步驟S3的烘干固化條件為在138-150℃的溫度下，烘干固化0.8-1.5小時。

4.根據權利要求1或2或3所述的LED芯片的封裝工藝，其特征在于，所述烘干固化操作在加熱模具內進行，所述加熱模具包括上模和下模。

5.根據權利要求1所述的LED芯片的封裝工藝，其特征在于，步驟S2防沉降熒光膠控制在與LED芯片的頂面平齊的厚度為通過以下操作進行：在LED芯片的矩陣陣列上涂覆所述防沉降熒光膠，通過第一壓板壓在防沉降熒光膠上使其流動填充所述間隙，且不超過LED芯片的頂面。

6.根據權利要求1所述的LED芯片的封裝工藝，其特征在于，所述速干型熒光膠涂覆后，通過第二壓板壓平后再進行固化。

7.根據權利要求1所述的LED芯片的封裝工藝，其特征在于，所述防沉降粉包括納米硅酸鋁、超細硅酸鈣和氣相二氧化硅，所述納米硅酸鋁、超細硅酸鈣和氣相二氧化硅的用量比為1：2：4。

8.根據權利要求1所述的LED芯片的封裝工藝，其特征在于，所述稀釋劑為二甲苯。