[發明專利]一種相變材料、相變存儲單元及其制備方法在審
| 申請號： | 202010907768.2 | 申請日： | 2020-09-02 |
| 公開（公告）號： | CN112133824A | 公開（公告）日： | 2020-12-25 |
| 發明（設計）人： | 宋志棠;宋三年;薛媛;王若冰 | 申請（專利權）人： | 中國科學院上海微系統與信息技術研究所 |
| 主分類號： | H01L45/00 | 分類號： | H01L45/00;H01L27/24 |
| 代理公司： | 上海泰能知識產權代理事務所(普通合伙) 31233 | 代理人： | 魏峯;黃志達 |
| 地址： | 200050 *** | 國省代碼： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 相變 材料 存儲 單元 及其 制備 方法 | ||
1.一種相變材料，其特征在于，所述材料的化學式為TaaInbSbcTed，其中，1≤a≤15，0.5≤b≤10，1/3≤c/d≤1，a+b+c+d＝100。
2.根據權利要求1所述材料，其特征在于，所述a為2～15，b為2～10，c/d為1/2～1。
3.根據權利要求1所述材料，其特征在于，所述材料的化學式為Ta8.93In9.14Sb38Te43.93，Ta11.55In9.33Sb36.65Te42.47，Ta14.67In9.51Sb35.01Te40.81。
4.一種如權利要求1所述相變材料的制備方法，其特征在于，所述材料采用磁控濺射法、化學氣相沉積法、原子層沉積法或者電子束蒸鍍法制備而成。
5.一種相變存儲器單元，包括下電極層，上電極層以及位于所述下電極層與所述上電極層之間的相變材料層，其特征在于，所述相變材料層為權利要求1～4任意一項所述相變材料。
6.根據權利要求5所述單元，其特征在于，所述下電極層和上電極層的材料為單金屬材料或者由所述單金屬材料中任意兩種或多種組合成的合金材料，或者所述單金屬材料的氮化物或氧化物；相變材料層的厚度為20nm-150nm。
7.一種相變存儲器單元的制備方法，包括：
(1)制備下電極層；
(2)制備相變材料層于步驟(1)中下電極層上，其中相變材料層為權利要求1～4任意一項所述相變材料；
(3)制備上電極層于步驟(2)中相變材料層上。
8.根據權利要求7所述方法，其特征在于，所述下電極層和上電極層的制備方法包括濺射法、蒸發法、化學氣相沉積法CVD或者等離子體增強化學氣相沉積法PECVD。
9.一種如權利要求1所述相變材料的應用。
10.一種如權利要求5所述變存儲器單元的應用。
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